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资料编号:643621
 
资料名称:TD350IDT
 
文件大小: 161.01K
   
说明
 
介绍:
Advanced IGBT/MOSFET Driver
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TD350 典型 效能 曲线
8/11
6 典型 效能 曲线
图示 6: 供应 电流 vs 温度
图示 7: 低 水平的 输出 电压 vs 温度
图示 8: desaturation 门槛 vs
温度
图示 9: 电压 涉及 vs 温度
图示 10: 高 水平的 输出 电压 vs 温度
图示 11: desaturation 源 电流 vs
温度
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
-50-250 255075100125
温度 (
°
c)
在 (毫安)
0.0
1.0
2.0
3.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125
温度 (
°
c)
VOl-vl (v)
Iosink=20mA
Iosink=200mA
Iosink=500mA
0.0
1.0
2.0
3.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125
温度 (
°
c)
VOl-vl (v)
Iosink=20mA
Iosink=200mA
Iosink=500mA
5
6
7
8
9
10
-50 -25 0 25 50 75 100 125
温度 (
°
c)
vdes (v)
4.80
4.90
5.00
5.10
5.20
-50 -25 0 25 50 75 100 125
温度 (
°
c)
vref (v)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125
温度 (
°
c)
vh-VOh (v)
Iosource=20mA
Iosource=200mA
Iosource=500mA
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125
温度 (
°
c)
vh-VOh (v)
Iosource=20mA
Iosource=200mA
Iosource=500mA
0
100
200
300
400
500
-50 -25 0 25 50 75 100 125
温度 (
°
c)
ides (ua)
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