参数 标识 值 单位
总的 设备
T
STG
-55 至 +150 °C
存储 温度
运行 温度 T
OPR
-55 至 +100 °C
含铅的 焊盘 温度 T
SOL
260 为 10 秒 °C
总的 设备 电源 消耗 @ t
一个
= 25°c
P
D
260 mW
减额 在之上 25°c 3.5 mw/°c
发射级
I
F
80 毫安
*forward 直流 电流
*reverse 输入 电压 V
R
6.0 V
*forward 电流 - 顶峰 (1µs 脉冲波, 300pps) I
F
(pk) 3.0 一个
*led 电源 消耗 @ t
一个
= 25°c
P
D
150 mW
减额 在之上 25°c 1.41 mw/°c
特性
• 高 电压
- h11d1, h11d2, bv
CER
= 300 v
- h11d3, h11d4, bv
CER
= 200 v
• 高 分开 电压
- 5300 vac rms - 1 分钟
- 7500 vac 顶峰 - 1 分钟
• underwriters laboratory (ul) 公认的 file# e90700
描述
这 h11dx 和 4n38 是 phototransistor-类型 optically 结合 optoisolators. 一个 infrared 发出
二极管 制造的 从 specially grown 镓 砷化物 是 selectively 结合 和 一个 高 电压
npn 硅 phototransistor. 这 设备 是 有提供的 在 一个 标准 塑料 六-管脚 双-在-线条 包装.
8/9/00 200046a
发射级
集电级
1
2
3
ANODE
CATHODE
4
5
6
根基
n/c
高 电压
phototransistor optocouplers
H11D1
H11D2
H11D3
H11D4
4N38
产品
•
电源 供应 regulators
•
数字的 逻辑 输入
•
微处理器 输入
•
appliance 传感器 系统
•
工业的 控制
绝对 最大 比率
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