参数 测试 情况 标识 设备 最小值 Typ** 最大值 单位
发射级
输入 向前 电压 I
F
= 10 毫安
V
F
所有
1.1 1.5 V
反转 泄漏 电流 V
R
= 3 v I
R
所有 10 µA
电容 V
F
= 0 v, f = 1.0 mhz C
J
所有 50 pF
探测器
顶峰 止-状态 电压 R
GK
= 10 k
Ω,
T
一个
=100 °c V
DM
4N39 200
V
4N40 400
顶峰 反转 电压 T
一个
=100 °c V
RM
4N39 200
V
4N40 400
在-状态 电压 I
T
= 300 毫安 V
T
所有 1.3 V
止-状态 电流
V
DM
= 200 v,
T
一个
= 100 °c,
I
DM
4N39 50
µA
I
F
= 0 毫安, r
GK
= 10 k
Ω
4N40 150
反转 电流
V
R
= 200 v, t
一个
=100 °c, i
F
= 0 毫安
I
R
4N39 50
µA
4N40 150
支持 电流 V
Fx
= 50v, r
GK
= 27 k
Ω
I
H
所有 1.0 毫安
单独的 组件 特性
电的 特性
(t
一个
= 25
°C
除非 否则 指定.)
典型的 测试 情况 标识 最小值 Typ** 最大值 单位
*
输入-输出 分开 电压 ( i
i-0
≤
1
µa, 电压有效值,
t = 1 最小值.) V
ISO
5300 vac(rms)
*isolation 阻抗 (v
i-o
= 500 vdc) R
ISO
10
11
!
分开 电容 (v
i-o
=
∅,
f = 1 mhz) C
ISO
0.8 pf
分开 特性
特性 测试 情况 标识 设备 最小值 Typ** 最大值 单位
*input 电流 至 触发
V
AK
= 50 v, r
GK
= 10 k
Ω
I
FT
4N39 30
毫安
V
AK
= 100 v, r
GK
= 27 k
Ω
4N40 14
*turn-在 时间
V
AK
= 50 v, i
F
= 30 毫安
t
在
所有 50
µ
一个
R
GK
= 10 k
Ω
, rl = 200
Ω
包装 电容 f = 1 mhz
C
i-o
所有 2 pF
(输入 至 输出)
输入 至 输出 电压 = 0
结合 dv/dt, 输入 至 输出
dv/dt
所有 500 v/
µ
S
(图示 13)
转移 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指定.)
photo scr optocouplers
4n39 4n40
www.fairchildsemi.com 2 的 8 2/27/01 DS300381
便条
* indicates 电子元件工业联合会 注册 数据
** 典型 值 在 t
一个
= 25°c
: 点此下载
