th50vsf2580/2581aasb
2001-10-26 1/50
•
函数 模式 控制 为 flash 记忆
兼容 和 电子元件工业联合会-标准 commands
•
flash 记忆 功能
同时发生的 读/写 行动
自动-程序
自动 碎片 擦掉, 自动 块 擦掉
自动 多样的-块 擦掉
程序 suspend/重新开始
块-擦掉 suspend/重新开始
数据 polling / toggle 位 函数
块 保护 / 激励 块 保护
支持 为 自动 睡眠 和 hidden 只读存储器 范围
一般 flash 记忆 接口 (cfi)
字节/文字 模式
•
擦掉 和 程序 循环 为 flash 记忆
10
5
循环 (典型)
•
激励 块 architecture 为 flash 记忆
th50vsf2580aasb: 顶 激励 块
th50vsf2581aasb: bottom 激励 块
•
包装
p-fbga69-1209-0.80a3: 0.31 g (典型值.)
TENTATIVE toshiba multi-碎片 整体的 电路 硅 门 cmos
sram 和 flash 记忆 mixed multi-碎片 包装
描述
这 th50vsf2580/2581aasb 是 一个 mixed multi-碎片 包装 containing 一个 4,194,304-位 全部 cmos sram 和 一个
33,554,432-位 flash 记忆. 这 cios 和 ciof 输入 能 是 使用 至 选择 这 最优的 记忆 配置.
这 电源 供应 为 这 th50vsf2580/2581aasb 能 范围 从 2.7 v 至 3.6 v. 这 th50vsf2580/2581aasb
能 执行 同时发生的 读/写 行动 在 它的 flash 记忆 和 是 有 在 一个 69-管脚 bga 包装,
制造 它 合适的 为 一个 多样性 的 产品.
特性
•
电源 供应 电压
V
CCs
=
2.7 v~3.6 v
V
CCf
=
2.7 v~3.6 v
•
数据 保持 供应 电压
V
CCs
=
1.5 v~3.6 v
•
电流 消耗量
运行:45 毫安 最大 (cmos 水平的)
备用物品: 7
µ
一个 最大 (sram cmos 水平的)
备用物品: 10
µ
一个 最大 (flash cmos 水平的)
•
块 擦掉 architecture 为 flash 记忆
8 blocks 的 8 kbytes
63 blocks 的 64 kbytes
•
Organization
ciof cios flash 记忆 SRAM
V
CC
V
CC
2,097,152 words 的 16 位 262,144 words 的 16 位
V
CC
V
SS
2,097,152 words 的 16 位 524,288 words 的 8 位
V
SS
V
SS
4,194,304 words 的 8 位 524,288 words 的 8 位
管脚 分派
(顶 视图)
管脚 names
•
CIOF
=
V
CC
, cios
=
V
CC
(
×
16,
×
16)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
一个 nc NC
b nc NC
c nc A7
LB
/accWP
我们
A8 A11
D a3 a6UB 重置 CE2S A19 A12 A15
E a2 a5 a18
用/RY
A20 A9 A13 NC
f nc A1 a4 a17 a10 a14 ncNC
g nc a0 v
SS
DQ1 DQ6 DU A16 NC
HCEF OE DQ9 DQ3 dq4 dq13 dq15 ciof
J S1CE dq0 dq10 V
CCf
V
CCs
DQ12 DQ7 V
SS
K dq8 dq2 dq11 cios dq5 dq14
l nc NC
m nc NC
a0~a21 地址 输入
A12S a12 输入 为 sram
A12F a12 输入 为 flash 记忆
SA a18 输入 为 sram
dq0~dq15 数据 输入/输出
S1CE , ce2s 碎片 使能 输入 为 sram
CEF 碎片 使能 输入 为 flash 记忆
OE 输出 使能 输入
我们
写 使能 输入
LB
, UB 数据 字节 控制 输入
用/RY
准备好/busy 输出
重置 硬件 重置 输入
/accWP 写 保护
/
程序 acceleration 输入
CIOS 文字 使能 输入 为 sram
CIOF 文字 使能 输入 为 flash 记忆
V
CCs
电源 供应 为 sram
V
CCf
电源 供应 为 flash 记忆
V
SS
地面
nc 不 连接
du 做 不 使用
•
toshiba 是 continually working 至 改进 这 质量 和 可靠性 的 它的 产品. nevertheless, 半导体 设备 在 general
能 运转 或者 失败 预定的 至 它们的 固有的 电的 敏锐的 和 vulnerability 至 物理的 压力. 它 是 这 responsibility 的 th
e
buyer, 当 utilizing toshiba 产品, 至 遵守 和 这 standards 的 安全 在 制造 一个 safe 设计 为 这 全部 系统, 一个nd
至 避免 situations 在 这个 一个 运转 或者 失败 的 此类 toshiba 产品 可以 导致 丧失 的 人 生命, bodily 伤害 o
r
损坏 至 所有物.
在 developing your 设计, 请 确保 那 toshiba 产品 是 使用 在里面 指定 运行 范围 作 设置 forth 在 th
e
大多数 recent toshiba 产品 规格. 也, 请 保持 在 mind 这 预防措施 和 情况 设置 forth 在 这 “handling
手册 为 半导体 设备,” 或者 “toshiba 半导体 可靠性 handbook” 等..
•
这 toshiba 产品 列表 在 这个 文档 是 将 为 用法 在 一般 electronics 产品 (计算机, 个人的
设备, 办公室 设备, 测量 设备, 工业的 robotics, domestic appliances, etc.). 这些 toshiba 产品 是
neither 将 也不 warranted 为 用法 在 设备 那 需要 extraordinarily 高 质量 和/或者 可靠性 或者 一个 malfunction o
r
失败 的 这个 将 导致 丧失 的 人 生命 或者 bodily 伤害 (“unintended usage”). 非计划的 用法 包含 atomic energy
控制 器械, airplane 或者 spaceship 器械, 运输 器械, 交通量 信号 器械, combustion 内容rol
器械, medical 器械, 所有 类型 的 安全 设备, 等.. 非计划的 用法 的 toshiba 产品 列表 在 这个 document
将要 是 制造 在 这 客户’s 自己的 风险.
000707EBA2
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