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标识 Tests 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
BR
I
R
= 1mA 65 V
V
BO
68 85 V
I
RM
V
RM
=63V 100
µ
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110 450 毫安
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500 毫安
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150 毫安
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= 100 mV
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F = 1KHz 500 pF
dv/dt 直线的 ramp 向上 至 67 % 的 V
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5kv/
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2 - 参数 RELATED 至 保护 THYRISTOR
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
F
I
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= 1 一个 tp = 100
µ
s2V
V
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看 曲线 图. 1 NA NA NA V
NA : 非 有
1 - 参数 RELATED 至 二极管 线条 / 地
THDT6511D
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标识 Tests 情况最小值典型值最大值单位 V BR I R = 1mA 65 V V BO 68 85 V I RM V RM =63V 100 µ 一个 I BO tp = 100 µ s 110 450 毫安 I BO F = 50 Hz RG = 600 Ω 500 毫安 I H 150 毫安 α T1510 -4 / ° C CV D = 100 mV RMS F = 1KHz 500 pF dv/dt 直线的 ramp 向上至 67 % 的 V BR 5kv/ µ s 2 - 参数 RELATED 至保护 THYRISTOR 标识测试情况最小值典型值最大值单位 V F I F = 1 一个 tp = 100 µ s2V V FP 看曲线图. 1 NA NA NA V NA : 非有 1 - 参数 RELATED 至二极管线条 / 地 THDT6511D 3/6

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