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微波 电源 gaas 场效应晶体管
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微波 半导体
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微波 半导体
tim1011-2l
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tim1011-2l
技术的 数据
技术的 datatechnical 数据
技术的 数据
特性
FEATURESFEATURES
特性
高 电源
broad 带宽 内部 matched
p1db=33.5dbm 在 10.7ghz 至 11.7ghz
高 增益
hermetically sealed 包装
g1db=7.5db 在 10.7ghz 至 11.7ghz
rf 效能 规格 ( ta= 25
rf 效能 规格 ( ta= 25rf 效能 规格 ( ta= 25
rf 效能 规格 ( ta= 25
°
°°
°
c )
c )c )
c )
特性 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输出 电源 在 1db
压缩 要点
P
1dB
32.5 33.5
dBm
电源 增益 在 1db
压缩 要点
G
1dB
6.5 7.5
dB
流 电流 I
DS1
0.85 1.1 一个
电源 增加 效率
η
增加
V
DS
=
9V
f
=10.7-11.7ghz
24
%
3rd 顺序 交调
扭曲量
IM
3
-42 -45
dBc
流 电流 I
DS2
二 声调 测试
P=22dBm
(单独的 运输车 水平的)
0.85 1.1 一个
频道 温度 上升
∆
Tch V
DS
X
I
DS
X
R
th(c-c)
80
°
C
电的 特性( ta= 25
电的 特性( ta= 25electrical 特性( ta= 25
电的 特性( ta= 25
°
°°
°
c )
c )c )
c )
特性 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
跨导
gm
V
DS
=
3V
I
DS
=1.0a
600
mS
pinch-止 电压 V
GSoff
V
DS
=
3V
I
DS
= 30ma
-2.0 -3.5 -5.0 V
saturated 流 电流 I
DSS
V
DS
=
3V
V
GS
= 0v
2.0 2.6 一个
门-源 损坏
电压
V
GSO
I
GS
= -30
µ
一个-5
V
热的 阻抗 R
th(c-c)
频道 至 情况
5.0 6.0
°
c/w
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apr. 2000
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