TIP112_集成电路资料查询网

1999. 11. 16 2/2
TIP117
修订 非 : 1
h      -  i
C
集电级 电流 i      (一个)
-0.01
100K
FE
10
直流 电流 增益 h
FE C
-0.1 -1 -10
30
100
300
10K
30K
v     =-4v
CE
1
CB
集电级-根基 电压 v       (v)
c      -  v
电容 c       (pf)
CB
-0.01
ob
ob
-0.1
-1
-10
-100
3
5
10
30
50
100
300
500
1k
f=0.1mhz
i      -  v
CCE
CE
集电级-发射级 电压 v       (v)
0
-1
C
-1
集电级 电流 i      (一个)
-2 -3 -4 -5
i   =-100
µ
一个
B
-2
-3
-4
-5
-200
µ
一个
-300
µ
一个
-40
0
µ
一个
-500
µ
一个
-900
µ
一个
-1000
µ
一个
-800
µ
一个
-700
µ
一个
-600
µ
一个
10
0.01
0.1
0.3
1
3
30
100
0.1 1 10
i    /i    =500
C
饱和 电压
是(sat)
集电级 电流 i      (一个)
C
ce(sat)是(sat)
v           , v           -  i
C
v              ,v             (v)
ce(sat)
是(sat)
V
ce(sat)
V
B
D
电源 消耗 p     (w)
0
0
情况 温度 ta (  c)
D
p     -  ta
50 100 150 200
10
20
30
40
50
60
70
80
集电级 电流 i      (一个)
C
0.1
51
集电级-发射级 电压 v       (v)
CE
safe 运行 范围
3103050100
0.3
0.5
1
3
5
10
单独的 nonrepetitive
脉冲波 tc=25  c
曲线 必须 是 derated
成直线地 和
增加 在
温度
i    最大值(搏动)
C
直流 o
P
E
R
一个
T
IO
N
1ms
5ms
tc=25  c

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1999. 11. 16 2/2 TIP117 修订非 : 1 h - i C 集电级电流 i (一个) -0.01 100K FE 10 直流电流增益 h FE C -0.1 -1 -10 30 100 300 10K 30K v =-4v CE 1 CB 集电级-根基电压 v (v) c - v 电容 c (pf) CB -0.01 ob ob -0.1 -1 -10 -100 3 5 10 30 50 100 300 500 1k f=0.1mhz i - v CCE CE 集电级-发射级电压 v (v) 0 -1 C -1 集电级电流 i (一个) -2 -3 -4 -5 i =-100 µ 一个 B -2 -3 -4 -5 -200 µ 一个 -300 µ 一个 -40 0 µ 一个 -500 µ 一个 -900 µ 一个 -1000 µ 一个 -800 µ 一个 -700 µ 一个 -600 µ 一个 10 0.01 0.1 0.3 1 3 30 100 0.1 1 10 i /i =500 C 饱和电压是(sat) 集电级电流 i (一个) C ce(sat)是(sat) v , v - i C v ,v (v) ce(sat) 是(sat) V ce(sat) V B D 电源消耗 p (w) 0 0 情况温度 ta ( c) D p - ta 50 100 150 200 10 20 30 40 50 60 70 80 集电级电流 i (一个) C 0.1 51 集电级-发射级电压 v (v) CE safe 运行范围 3103050100 0.3 0.5 1 3 5 10 单独的 nonrepetitive 脉冲波 tc=25 c 曲线必须是 derated 成直线地和增加在温度 i 最大值(搏动) C 直流 o P E R 一个 T IO N 1ms 5ms tc=25 c

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