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资料编号:652676
 
资料名称:TLP321
 
文件大小: 222.82K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor
 
 


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tlp321,tlp321-2,tlp321-4
2002-09-25
3
最大 比率
(ta = 25°c)
比率
典型的 标识
TLP321
1
TLP321
2
TLP321
4
单位
向前 电流 I
F
60 50 毫安
向前 电流 减额
I
F
/ °c
0.7 (ta
39°c)
0.5 (ta
25°c) 毫安 / °c
脉冲波 向前 电流 I
FP
1 (100µs 脉冲波, 100pps) 一个
反转 电压 V
R
5 v
LED
接合面 温度 T
j
125 °c
集电级
发射级 电压 V
CEO
80 V
发射级
集电级 电压 V
ECO
7 V
集电级 电流 I
C
50 毫安
集电级 电源 消耗
(1 电路)
P
C
150 100 mw
集电级 电源 消耗
减额 (1 电路, ta
25°c)
P
C
/ °c
1.5
1.0 mw / °c
探测器
接合面 温度 T
j
125 °c
存储 温度 范围 T
stg
55~125 °c
运行 温度 范围 T
opr
55~100 °c
含铅的 焊接 温度 T
sol
260 (10s) °c
总的 包装 电源 消耗 R
T
250 150 mw
总的 包装 电源 消耗
减额 (ta
25°c)
P
T
/ °c
2.5
1.5 mw / °c
分开 电压 (便条 1) BV
S
5000 (交流, 1min., rh
60%)
电压有效值
(便条 1) 设备 考虑 一个 二 终端 设备: led 一侧 管脚 短接 一起 和 探测器 一侧 管脚
短接 一起.
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