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资料编号:652676
 
资料名称:TLP321
 
文件大小: 222.82K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor
 
 


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tlp321,tlp321-2,tlp321-4
2002-09-25
4
推荐 运行 情况
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 V
CC
12 48 V
向前 电流 I
F
16 20 毫安
集电级 电流 I
C
1 10 毫安
运行 温度 T
opr
25
85 °c
单独的 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
向前 电压 V
F
I
F
=10 毫安 1.0 1.15 1.3 V
反转 电流 I
R
V
R
=5 v 10 µA
LED
电容 c
T
v = 0, f = 1mhz 30 pF
集电级
发射级
损坏 电压
V
(br) ceo
I
C
= 0.5ma 80 V
发射级
集电级
损坏 电压
V
(br) eco
I
E
= 0.1ma 7 V
V
CE
= 48v 10 100 nA
集电级 dark 电流 I
CEO
V
CE
= 48v, ta = 85°c 2 50 µA
探测器
电容
(集电级 至 发射级)
C
CE
v = 0, f = 1mhz 10 pF
结合 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
50 — 600
电流 转移 比率 I
C
/ i
F
I
F
= 5ma, v
CE
= 5v
分级 gb
100 — 600
%
— 60 —
saturated ctr I
C
/ i
f (sat)
I
F
= 1ma, v
CE
= 0.4v
分级 gb
30 — —
%
I
C
= 2.4ma, i
F
= 8ma 0.4
— 0.2 —
集电级
发射级
饱和 电压
V
ce (sat)
I
C
= 0.2ma, i
F
= 1ma
分级 gb
— — 0.4
V
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