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资料编号:652797
 
资料名称:TLP270D
 
文件大小: 236.1K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−MOS FET / Photo−Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TLP270D
2002-09-25
4
Photocoupler
(交流

输入 晶体管 输出)
最大 比率
(ta = 25°c)
典型的 标识 比率 单位
向前 电流 I
F
50 毫安
向前 电流 减额
(ta
25°c)
I
F
/ °c
0.5 毫安 / °c
脉冲波 向前 电流
(100
s 脉冲波,100pps)
I
FP
1 一个
LED
接合面 温度 T
j
125 °c
集电级
发射级 电压 V
CEO
80 v
发射级
集电级 电压 V
ECO
7 v
集电级 电流 I
C
50 毫安
集电级 电源 消耗
(1 电路)
P
C
150 mw
集电级 电源 消耗
减额(ta
25°c) (1 电路)
P
C
/ °c
1.5 mw / °c
探测器
接合面 温度 T
j
125 °c
单独的 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
向前 电压 V
F
I
F

10ma 1.0 1.15 1.3 v
LED
电容 c
T
V
0, f
1MHz
60
pF
集电级
发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
I
C
0.5ma 80
V
发射级
集电级
损坏 电压
V
(br)eco
I
E
0.1ma 7
V
V
CE
48V
(包围的 明亮的: 100 lx)
0.01
(2)
0.1
(20)
一个
集电级 dark 电流 I
D
V
CE
48v, t
一个
85°C
(包围的 明亮的: 100 lx)
2
(4)
50
(50)
一个
探测器
电容 c
CE
V
0, f
1MHz
10
pF
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