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资料编号:652797
 
资料名称:TLP270D
 
文件大小: 236.1K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−MOS FET / Photo−Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TLP270D
2002-09-25
5
结合 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
50
电流 转移 比率
(ctr)
I
c/
I
F
I
F
5ma, v
CE
5V
分级 gb
100
%
60
saturated ctr
I
c/
I
F
(sat)
I
F
1ma, v
CE
0.4v
分级 gb
30
%
I
C
2.4ma, i
F
8mA
0.4
0.2
集电级
发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
I
C
0.2ma, i
F
1mA
分级 gb
0.4
V
状态 集电级 电流 I
c(止)
V
F
0.7v, v
CE
48V
10
一个
切换 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
上升 时间 t
r
2
下降 时间 tf
3
转变
在 时间 t
3
转变
止 时间 t
V
CC
10v, i
C
2ma,
R
L
100
3
转变
在 时间 t
2
存储 时间 t
s
25
转变
止 时间 t
R
L
1.9k
, v
CC
5v,
I
F
16mA
40
s
齐纳 二极管
单独的 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
齐纳 电压 V
Z
22 27 32 V
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