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资料编号:652824
 
资料名称:TLP590B
 
文件大小: 152.91K
   
说明
 
介绍:
GaAS As Ired & Photo−Diode Array
 
 


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TLP590B
2002-09-25
3
向前 电压 温度
系数
V
F
/
ta (mv /
)
3.2
0.1
2.0
2.4
2.8
4.0
0.5 0.3
1.6
1.2
0.8
1 3
10
30
5
V
F
/
TaI
F
向前 电流 i
F
(毫安)
3.6
I
F
– v
F
向前 电流 i
F
(毫安)
向前 电压 v
F
(v)
100
50
1.0
5
30
3
1
10
1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
ta = 25°c
I
F
– ta
容许的 向前 电流
I
F
(毫安)
包围的 温度 ta (
)
100
80
80 60
20 400
20
0
60
40
20
100
I
FP
– d
R
脉冲波 向前 电流 I
FP
(毫安)
职责 循环 比率 d
R
5000
3000
3
3
10
-3
3
1000
500
30
100
50
300
10
-1
10
-2
3 10
0
脉冲波 宽度
100µs
Ta=25°C
10
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