tlp283,tlp283-4
2002-09-04
2
最大 比率
(ta = 25
℃
℃℃
℃
)
比率
典型的 标识
tlp283 tlp283
−
4
单位
向前 电流 I
F
50 毫安
向前 电流 减额
∆
I
F
/°c
−
0.7 (ta
≥
53°c)
−
0.5 (ta
≥
25°c) 毫安 /°c
脉冲波 向前 电流 I
FP
1 一个
反转 电压 V
R
5 v
LED
接合面 温度 T
j
125 °c
集电级-发射级 电压 V
CEO
100 v
发射级-集电级 电压 V
ECO
7 v
集电级 电流 I
C
50 毫安
集电级 电源 消耗
(1 电路)
P
C
150 100 mw
集电级 电源 消耗
减额(ta
≥
25°c) (1 电路)
∆
P
C
/°c
−
1.5
−
1.0 mw /°c
探测器
接合面 温度 T
j
125 °c
运行 温度 范围 T
opr
−
55~100 °c
存储 温度 范围 T
stg
−
55~125 °c
含铅的 焊接 温度 T
sol
260 (10s) °c
总的 包装 电源 消耗
(1 电路)
P
T
200 170 mw
总的 包装 电源 消耗
减额 (ta
≥
25°c) (1 电路)
∆
P
T
/°c
−
2.0
−
1.7 mw /°c
分开 电压 (note2) BV
S
2500(交流,1min,r.h.
≤
60%) 电压有效值
(note2)设备 考虑 一个 二 终端 设备 : led 一侧 管脚 短接 一起 和
探测器 一侧 管脚 短接 一起.
单独的 电的 特性
(ta = 25
℃
℃℃
℃
)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
向前 电压 V
F
I
F
= 10 毫安 1.0 1.15 1.3 V
反转 电流 I
R
V
R
= 5 v
—
— 10 µa
LED
电容 c
T
v = 0, f = 1 mhz
—
30 — pf
集电级-发射级
损坏 电压
V
(br) ceo
I
C
= 0.5 毫安 100
— —
V
发射级-集电级
损坏 电压
V
(br) eco
I
E
= 0.1 毫安 7
— —
V
V
CE
= 48 v,
包围的 明亮的 在下
(100
ℓ
x)
—
0.01
(2)
0.1
(10)
µA
集电级 dark 电流
(note3)
I
CEO
V
CE
= 48 v, ta = 85°c
包围的 明亮的 在下
(100
ℓ
x)
—
2
(4)
50
(50)
µA
探测器
电容
(集电级 至 发射级)
C
CE
v = 0, f = 1 mhz
—
10 — pf
(note3) 因为 的 这 构建,leak 电流 might 是 增加 用 包围的 明亮的.
请 使用 photocoupler 和 较少 包围的 明亮的.
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