tlp331,tlp332
2002-09-25
3
单独的 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
向前 电压 V
F
I
F
= 10ma 1.0 1.15 1.3 V
反转 电流 I
R
V
R
= 5v
―
―
10 µa
LED
电容 c
T
v = 0, f = 1mhz
―
30
―
pF
集电级
发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
I
C
= 0.5ma 55
―
―
V
发射级
集电级
损坏 电压
V
(br)eco
I
E
= 0.1ma 7
―
―
V
集电级
根基 损坏 电压
(tlp331)
V
(br)cbo
I
C
= 0.1ma 80
―
―
V
发射级
根基 损坏 电压
(tlp331)
V
(br)ebo
I
E
= 0.1ma 7
―
―
V
V
CE
= 24v
―
10 100 na
集电级 dark 电流 I
CEO
V
CE
= 24v, ta = 85°c
―
2 50 µa
集电级 dark 电流
(tlp331)
I
CER
V
CE
= 24v, ta = 85°c
R
是
= 1m
Ω
―
0.5 10 µa
集电级 dark 电流
(tlp331)
I
CBO
V
CB
= 10v
―
0.1
―
nA
直流 向前 电流 增益
(tlp331)
h
FE
V
CE
= 5v, i
C
= 0.5ma
―
1000
―
―
探测器
电容 (集电级 至 发射级)
C
CE
v = 0 , f = 1mhz
―
12
―
pF
结合 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
100
―
1200
电流 转移 比率 I
C
/ i
F
I
F
= 1ma, v
CE
= 0.5v
分级 bv
200
―
1200
%
50
―
―
低 输入 ctr I
C
/ i
f(低)
I
F
= 0.5ma, v
CE
= 1.5v
分级 bv
100
―
―
%
根基 photo
电流 (tlp331) I
铅
I
F
= 1ma, v
CB
= 5v
―
10
―
µA
I
C
= 0.5ma i
F
= 1ma
―
— 0.4
―
0.2
―
集电级
发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
= 1ma i
F
= 1ma
分级 bv
―
―
0.4
V
结合 电的 特性
(ta = 25~75°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
50
―
―
电流 转移 比率 I
C
/ i
F
I
F
= 1ma, v
CE
= 0.5v
分级 bv
100
―
―
%
―
50
―
低 输入 ctr I
C
/ i
f(低)
I
F
= 0.5ma, v
CE
= 1.5v
分级 bv
―
100
―
%