二月.1999
0
10
0
10
1
10
–1
10
–2
10
–3
10
1
10
0
10
4
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
4
10
3
10
2
10
1
10
753275327532
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
4
7
5
4
V
GT
=3.0v
I
GT
=
100mA
I
FGM
=4.0a
P
GM
=10W
V
FGM
=10V
V
GD
=0.25v
P
g(av)
=
3.0w
T
j
=25°C
0.6
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
2.61.0 1.4 1.8 2.2
T
j
=125°C
705030207532
0
10000
101 100
8000
6000
4000
2000
753275327532
0.10
0
7532
0.02
0.04
0.06
0.08
0
0 400
500
400
50 150 200 300
300
200
100
100 250 350
180°
120°
90°
θ
360°
60°
130
50
0 200 400100
60
300
70
80
90
100
110
120
θ
=30° 60° 90°
θ
360°
180°120°
resistive,
INDUCTIVE
加载
每 单独的
元素
θ
=30°
resistive,
INDUCTIVE
加载
每 单独的
元素
效能 曲线
最大 在-状态 典型的
门 特性 最大 瞬时 热的
阻抗 (接合面 至 情况)
最大 平均 在-状态
电源 消耗
(单独的 阶段 halfwave)
限制的 值 的 这 平均
在-状态 电流
(单独的 阶段 halfwave)
评估 surge (非-repetitive)
在-状态 电流
在-状态 电流 (一个)
surge (非-repetitive)
在-状态 电流 (一个)
在-状态 电压 (v) 传导 时间
(循环 在 60hz)
门 电压 (v)
平均 在-状态 电源
消耗 (w)
瞬时 热的 阻抗
(
°
c/w)
情况 温度 (
°
c)
时间 (s)门 电流 (毫安)
平均 在-状态 电流 (一个) 平均 在-状态 电流 (一个)
mitsubishi thyristor modules
tm400dz/cz/pz/uz-m,-h,-24,-2h
高 电源 一般 使用
insulated 类型
: 点此下载
