TMP04FS_集成电路资料查询网

tmp03/tmp04
rev. 0
–7–
T
一个
= +125
°
C
V
DD
= +5v
C
加载
= 100pf
R
加载
= 1k
Ω
时间 规模 = 250ns/div
电压 规模 = 2v/div
ch 1 +width
wfm 做 不
交叉 ref
∞
s
ch 1 –width
wfm 做 不
交叉 ref
∞
s
ch 1 上升
非 有效的
边缘
∞
s
运动:
200ms/s et
样本
(t)
ch 1 下降
139.5ns
边缘 斜度
图示 9. tmp03 输出 下降 时间 在 +125
°
C
T
一个
= +25
°
C
V
DD
= +5v
C
加载
= 100pf
R
加载
= 0
时间 规模 = 250ns/div
电压 规模 = 2v/div
ch 1 +width
wfm 做 不
交叉 ref
∞
s
ch 1 –width
wfm 做 不
交叉 ref
∞
s
ch 1 上升
非 有效的
边缘
∞
s
运动:
200ms/s et
样本
(t)
ch 1 下降
127.6ns
图示 10. tmp04 输出 下降 时间 在 +25
°
C
T
一个
= +125
°
C
V
DD
= +5v
C
加载
= 100pf
R
加载
= 0
时间 规模 = 250ns/div
电压 规模 = 2v/div
ch 1 +width
wfm 做 不
交叉 ref
∞
s
ch 1 –width
wfm 做 不
交叉 ref
∞
s
ch 1 上升
非 有效的
边缘
∞
s
运动:
200ms/s et
样本
(t)
ch 1 下降
188.0ns
图示 11. tmp04 输出 下降 时间 在 +125
°
C
T
一个
= +25
°
C
V
DD
= +5v
C
加载
= 100pf
R
加载
= 0
时间 规模 – 250ns/div
电压 规模 – 2v/div
ch 1 +width
wfm 做 不
交叉 ref
∞
s
ch 1 –width
wfm 做 不
交叉 ref
∞
s
ch 1 下降
非 有效的
边缘
∞
s
运动:
200ms/s et
样本
(t)
ch 1 上升
110.6ns
图示 12. tmp04 输出 上升 时间 在 +25
°
C
T
一个
= +125
°
C
V
DD
= +5v
C
加载
= 100pf
R
加载
= 0
时间 规模 – 250ns/div
电压 规模 – 2v/div
ch 1 +width
wfm 做 不
交叉 ref
∞
s
ch 1 –width
wfm 做 不
交叉 ref
∞
s
ch 1 下降
非 有效的
边缘
∞
s
运动:
200ms/s et
样本
(t)
ch 1 上升
149.6ns
图示 13. tmp04 输出 上升 时间 在 +125
°
C
加载 电容 – pf
2500
1000
0
0 5000500
时间 – ns
1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500
1500
500
2000
下降 时间
上升 时间
R
加载
=
∞
T
一个
= +25
°
C
V
S
= +5v
图示 14. tmp04 输出 上升 &放大; 下降 时间
vs. 电容的 加载

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tmp03/tmp04 rev. 0 –7– T 一个 = +125 ° C V DD = +5v C 加载 = 100pf R 加载 = 1k Ω 时间规模 = 250ns/div 电压规模 = 2v/div ch 1 +width wfm 做不交叉 ref ∞ s ch 1 –width wfm 做不交叉 ref ∞ s ch 1 上升非有效的边缘 ∞ s 运动: 200ms/s et 样本 (t) ch 1 下降 139.5ns 边缘斜度图示 9. tmp03 输出下降时间在 +125 ° C T 一个 = +25 ° C V DD = +5v C 加载 = 100pf R 加载 = 0 时间规模 = 250ns/div 电压规模 = 2v/div ch 1 +width wfm 做不交叉 ref ∞ s ch 1 –width wfm 做不交叉 ref ∞ s ch 1 上升非有效的边缘 ∞ s 运动: 200ms/s et 样本 (t) ch 1 下降 127.6ns 图示 10. tmp04 输出下降时间在 +25 ° C T 一个 = +125 ° C V DD = +5v C 加载 = 100pf R 加载 = 0 时间规模 = 250ns/div 电压规模 = 2v/div ch 1 +width wfm 做不交叉 ref ∞ s ch 1 –width wfm 做不交叉 ref ∞ s ch 1 上升非有效的边缘 ∞ s 运动: 200ms/s et 样本 (t) ch 1 下降 188.0ns 图示 11. tmp04 输出下降时间在 +125 ° C T 一个 = +25 ° C V DD = +5v C 加载 = 100pf R 加载 = 0 时间规模 – 250ns/div 电压规模 – 2v/div ch 1 +width wfm 做不交叉 ref ∞ s ch 1 –width wfm 做不交叉 ref ∞ s ch 1 下降非有效的边缘 ∞ s 运动: 200ms/s et 样本 (t) ch 1 上升 110.6ns 图示 12. tmp04 输出上升时间在 +25 ° C T 一个 = +125 ° C V DD = +5v C 加载 = 100pf R 加载 = 0 时间规模 – 250ns/div 电压规模 – 2v/div ch 1 +width wfm 做不交叉 ref ∞ s ch 1 –width wfm 做不交叉 ref ∞ s ch 1 下降非有效的边缘 ∞ s 运动: 200ms/s et 样本 (t) ch 1 上升 149.6ns 图示 13. tmp04 输出上升时间在 +125 ° C 加载电容 – pf 2500 1000 0 0 5000500 时间 – ns 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 1500 500 2000 下降时间上升时间 R 加载 = ∞ T 一个 = +25 ° C V S = +5v 图示 14. tmp04 输出上升 &放大; 下降时间 vs. 电容的加载

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