TMP01
rev. c
–10–
切换 负载 和 这 打开-集电级 输出
在 许多 温度 感觉到 和 控制 产品 一些 类型
的 切换 是 必需的. whether 它 是 至 转变 在 一个 heater 当
这 温度 变得 在下 一个 最小 值 或者 至 转变 止 一个
发动机 那 是 overheating, 这 打开-集电级 输出 在 和
下面 能 是 使用. 为这 majority 的 产品, 这switches
使用 需要 至 handle 大 电流 在 这 顺序 的 1 放大 和
在之上. 因为 这 tmp01 是 准确地 测量 tempera-
ture, 这 打开-集电级 输出 应当 handle 较少 比 20 毫安
的 电流 至 降低 自-加热. clearly, 这 在-温度 和
下面-温度 输出 应当 不 驱动 这 设备 直接地.
instead, 一个 外部 切换 设备 是 必需的 至 handle 这
大 电流. 一些 examples 的 这些 是 接转, 电源
mosfets, thyristors, igbts, 和 darlingtons.
图示 15 显示 一个 多样性 的 电路 在哪里 这 tmp01 控制
一个 转变. 这 主要的 仔细考虑 在 这些 电路, 此类 作 这
接转 在 图示 15a, 是 这 电流 必需的 至 活动 这
转变.
发动机
关闭
2604-12-311
COTO
IN4001
或者 equiv.
+12V
R1
R2
R3
温度
传感器 &放大;
电压
涉及
1
2
3
4
7
HYSTERESIS
发生器
WINDOW
比较器
TMP01
VPTAT
VREF
8
5
6
图示 15a. reed 接转 驱动
它 是 重要的 至 审查 这 particular 接转 你 choose 至 确保
那 这 电流 需要 至 活动 这 coil 做 不 超过 这
tmp01’s 推荐 输出 电流 的 20 毫安. 这个 是 容易地
决定 用 dividing 这 接转 coil 电压 用 这 指定
coil 阻抗. 保持 在 mind 那 这 电感 的 这 接转
将 create 大 电压 尖刺 那 能 损坏 这 tmp01 输出-
放 除非 保护 用 一个 commutation 二极管 横过 这 coil, 作
显示. 这 接转 显示 有 一个 联系 比率 的 10 watts maxi-
mum. 如果 一个 接转 有能力 的 处理 更多 电源 是 desired, 这
大 联系 将 probably 需要 一个 commensurately 大
coil, 和 更小的 coil 阻抗 和 因此 高等级的 触发 电流.
作 这 联系 电源 处理 能力 增加, 所以 做 这
电流 需要 为 这 coil. 在 一些 具体情况 一个 外部 驱动
晶体管 应当 是 使用 至 除去 这 电流 加载 在 这
tmp01 作 explained 在 这 next 部分.
电源 fets 是 popular 为 处理 一个 多样性 的 高 电流
直流 负载. 图示 15b 显示 这 tmp01 驱动 一个 p-频道
场效应晶体管 晶体管 为 一个 简单的 heater 电路. 当 这 输出-
放 晶体管 转变 在, 这 门 的 这 场效应晶体管 是 牵引的 向下
至 大概 0.6 v, turning 它 在. 为 大多数 mosfets 一个
门-至-源 电压 或者 vgs 在 这 顺序 的 –2 v 至 –5 v 是 suf-
ficient 至 转变 这 设备 在. 图示 15c 显示 一个 类似的 电路
为 turning 在 一个 n-频道 场效应晶体管, 除了 那 now 这 门
至 源 电压 是 积极的. 因为 的 这个 reason 一个 外部
晶体管 必须 是 使用 作 一个 反相器 所以 那 这 场效应晶体管 将
转变 在 当 这 “under temp” 输出 pulls 向下.
nc = 非 连接
NC
NC
IRFR9024
或者 equiv.
加热
元素
2.4k
Ω
(12v)
1.2k
Ω
(6v)
5%
V+
R1
R2
R3
温度
传感器 &放大;
电压
涉及
1
2
3
4
7
HYSTERESIS
发生器
WINDOW
比较器
TMP01
VPTAT
VREF
8
5
6
图示 15b. 驱动 一个 p-频道 场效应晶体管
IRF130
nc = 非 连接
NC
NC
2N1711
加热
元素
V+
R1
R2
R3
4.7k
Ω
4.7k
Ω
温度
传感器 &放大;
电压
涉及
1
2
3
4
HYSTERESIS
发生器
WINDOW
比较器
TMP01
VPTAT
VREF
7
8
5
6
图示 15c. 驱动 一个 n-频道 场效应晶体管
分开的 门 双极 晶体管 (igbt) 联合的 许多 的 这
益处 的 电源 mosfets 和 双极 晶体管, 和 是
使用 为 一个 多样性 的 高 电源 产品. 因为 igbts
有 一个 门 类似的 至 mosfets, turning 在 和 止 这 设备
是 相当地 简单的 作 显示 在 图示 15d. 这 转变 在 电压
为 这 igbt 显示 (irgbc40s) 是 在 3.0 和 5.5 伏特.
这个 部分 有 一个 持续的 集电级 电流 比率 的 50 一个 和 一个
最大 集电级 至 发射级 电压 的 600 v, enabling 它 至
工作 在 非常 要求 产品.
IRGBC40S
nc = 非 连接
NC
NC
2N1711
V+
R1
R2
R3
4.7k
Ω
4.7k
Ω
温度
传感器 &放大;
电压
涉及
1
2
3
4
HYSTERESIS
发生器
WINDOW
比较器
TMP01
VPTAT
VREF
7
8
5
6
发动机
控制
图示 15d. 驱动 一个 igbt
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