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资料编号:655785
 
资料名称:TN28F010-150
 
文件大小: 895.48K
   
说明
 
介绍:
28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
28F010
E
6
290207-1
图示 1. 28f010 块 图解
表格 1. 管脚 描述
标识 类型 名字 和 函数
一个
0
–A
16
输入
地址 输入
为 记忆 地址. 地址 是 内部
latched 在 一个 写 循环.
DQ
0
–DQ
7
输入/输出
数据 输入/输出:
输入 数据 在 记忆 写 循环; 输出
数据 在 记忆 读 循环. 这 数据 管脚 是 起作用的 高 和 float 至
触发-状态
当 这 碎片 是 deselected 或者 这 输出 是 无能. 数据 是
内部 latched 在 一个 写 循环
CE# 输入
碎片 使能:
activates 这 设备's 控制 逻辑, 输入 缓存区, decoders
和 sense 放大器. ce# 是 起作用的 低; ce# 高 deselects 这 记忆
设备 和 减少 电源 消耗量 至 备用物品 水平.
OE# 输入
输出 使能:
门 这 设备 输出 通过 这 数据 缓存区
在 一个 读 循环. oe# 是 起作用的 低.
WE# 输入
写 使能:
控制 写 至 这 控制 寄存器 和 这 排列. 写
使能 是 起作用的 低. 地址 是 latched 在 这 下落 边缘 和 数据 是
latched 在 这 rising 边缘 的 这 we# 脉冲波.
便条:
和 v
PP
6.5 v, 记忆 内容 不能 是 改变.
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