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初步的
13
8xc251sa/sb/sp/sq高-效能 chmos 微控制器
表格 7. 记忆 信号 selections (rd1:0)
rd1:0
p1.7/cex/
a17/wclk
p3.7/rd#/a16 psen# WR# 特性
0 0 A17 A16 asserted 为
所有 地址
asserted 为 写 至
所有 记忆 locations
256-kbyte 外部
记忆
0 1 p1.7/cex4/
WCLK
A16 asserted 为
所有 地址
asserted 为 写 至
所有 记忆 locations
128-kbyte 外部
记忆
1 0 p1.7/cex4/
WCLK
p3.7 仅有的 asserted 为
所有 地址
asserted 为 写 至
所有 记忆 locations
64-kbyte 外部
记忆. 一个
额外的 端口 管脚.
1 1 p1.7/cex4/
WCLK
rd# asserted
为 地址
≤
7f:ffffh
asserted 为
≥
80:0000h
asserted 仅有的 为
写 至 mcs 51
微控制器 数据
记忆 locations.
64-kbyte 外部
记忆. 兼容
和 mcs 51 微观的-
控制者.

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初步的 13 8xc251sa/sb/sp/sq高-效能 chmos 微控制器表格 7. 记忆信号 selections (rd1:0) rd1:0 p1.7/cex/ a17/wclk p3.7/rd#/a16 psen# WR# 特性 0 0 A17 A16 asserted 为所有地址 asserted 为写至所有记忆 locations 256-kbyte 外部记忆 0 1 p1.7/cex4/ WCLK A16 asserted 为所有地址 asserted 为写至所有记忆 locations 128-kbyte 外部记忆 1 0 p1.7/cex4/ WCLK p3.7 仅有的 asserted 为所有地址 asserted 为写至所有记忆 locations 64-kbyte 外部记忆. 一个额外的端口管脚. 1 1 p1.7/cex4/ WCLK rd# asserted 为地址 ≤ 7f:ffffh asserted 为 ≥ 80:0000h asserted 仅有的为写至 mcs 51 微控制器数据记忆 locations. 64-kbyte 外部记忆. 兼容和 mcs 51 微观的- 控制者.

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