TPCF8102
2004-07-06
1
toshiba 地方 效应 晶体管 硅 p 频道 mos 类型 (u-mos
III
)
TPCF8102
notebook pc 产品
可携带的 设备 产品
•
低 流-源 在 阻抗: r
ds (在)
= 24 m
Ω
(典型值.)
•
高 向前 转移 admittance: |y
fs
| = 14 s (典型值.)
•
低 泄漏 电流: i
DSS
=
−
10 µa (最大值) (v
DS
=
−
20 v)
•
增强 模式: V
th
=
−
0.5 至
−
1.2 v
(v
DS
=
−
10 v, i
D
=
−
200 µa)
最大 比率
(ta
=
25°c)
特性 标识 比率 单位
流-源 电压 V
DSS
−
20
V
流-门 电压 (r
GS
=
20 k
Ω
) v
DGR
−
20
V
门-源 电压 V
GSS
±
8
V
直流 (便条 1)
I
D
−
6
流 电流
搏动 (便条 1)
I
DP
−
24
一个
流 电源 消耗 (t
=
5 s)
(便条 2a)
P
D
2.5 w
流 电源 消耗 (t
=
5 s)
(便条 2b)
P
D
0.7 w
单独的 脉冲波 avalanche 活力 (便条 3) E
作
5.9 mj
avalanche 电流 I
AR
−
3 一个
repetitive avalanche 活力 (便条 4) E
AR
0.25
mJ
频道 温度 T
ch
150
°C
存储 温度 范围 T
stg
−
55~150
°C
热的 特性
特性 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 频道 至 包围的 (t
=
5 s)
(便条 2a)
R
th (ch-一个)
50.0 °c/w
热的 阻抗, 频道 至 包围的 (t
=
5 s)
(便条 2b)
R
th (ch-一个)
178.6 °c/w
便条 1, 便条 2, 便条 3, 便条 4 和 便条 5: 看 这 next page.
这个 晶体管 是 一个 静电的-敏感的 设备. 请 handle 和 提醒.
单位: mm
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 2-3u1a
重量: 0.011 g (典型值.)
电路 配置
86
12 3
7 5
4
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