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资料编号:657169
资料名称:
TPCF8102
文件大小: 224.05K
说明
:
介绍
:
Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III)
: 点此下载
1
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5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPCF8102
2004-07-06
4
0
0
−
0.2
−
0.4
−
0.6
−
0.8
−
1.0
−
1
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2
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3
−
4
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5
V
GS
=
−
1.4 v
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
−
1.5
−
1.6
−
1.7
−
1.8
−
1.9
−
2.5
−
2
−
3
−
4
−
5
−
4.5
向前 转移 admittance
|Y
fs
| (s)
流-源 电压 v
DS
(v)
流-源 电压
V
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流
I
D
(一个)
流-源 电压
V
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流
I
D
(一个)
门-源 电压 v
GS
(v)
I
D
– v
GS
流 电流
I
D
(一个)
门-源 电压 v
GS
(v)
V
DS
– v
GS
流 电流 i
D
(一个)
|Y
fs
| – i
D
流 电流 i
D
(一个)
R
ds (在)
– i
D
流-源 在 阻抗
R
DS
(在)
(m
Ω
)
0
0
−
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2
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3
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4
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5
−
2
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4
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6
−
8
−
10
V
GS
=
−
1.4 v
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
−
1.5
−
1.6
−
1.7
−
1.8
−
1.9
−
2
−
2.5
−
3
−
4
−
5
0
0
−
0.5
−
1.0
−
1.5
−
2.0
−
2.5
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Ta
=
−
55°C
Ta
=
100°C
Ta
=
25°C
一般 源
V
DS
=
−
10 v
脉冲波 测试
0
0
−
2
−
4
−
6
−
10
−
0.1
−
0.2
−
0.3
−
0.4
−
0.5
−
8
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
I
D
=
−
6 一个
−
3 一个
−
1.5 一个
1
−
0.1
−
1
−
10
−
100
10
100
1000
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
V
GS
=
−
4.5 v
−
2.5 v
−
1.8 v
0.1
−
0.1
−
1
−
10
−
100
1
10
100
一般 源
V
DS
=
−
10 v
脉冲波 测试
Ta
=
100°C
Ta
=
−
55°C
Ta
=
25°C
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