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资料编号:657169
 
资料名称:TPCF8102
 
文件大小: 224.05K
   
说明
 
介绍:
Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPCF8102
2004-07-06
4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1
2
3
4
5
V
GS
=
1.4 v
一般 源
Ta
=
25°C 脉冲波 测试
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.5
2
3
4
5
4.5
向前 转移 admittance |Y
fs
| (s)
流-源 电压 v
DS
(v)
流-源 电压 V
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流 I
D
(一个)
流-源 电压 V
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流 I
D
(一个)
门-源 电压 v
GS
(v)
I
D
– v
GS
流 电流 I
D
(一个)
门-源 电压 v
GS
(v)
V
DS
– v
GS
流 电流 i
D
(一个)
|Y
fs
| – i
D
流 电流 i
D
(一个)
R
ds (在)
– i
D
流-源 在 阻抗
R
DS
(在)
(m
)
0
0
1
2
3
4
5
2
4
6
8
10
V
GS
=
1.4 v
一般 源
Ta
=
25°C 脉冲波 测试
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.5
3
4
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
2
4
6
8
10
Ta
=
55°C
Ta
=
100°C
Ta
=
25°C
一般 源
V
DS
=
10 v
脉冲波 测试
0
0
2
4
6
10
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
8
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
I
D
=
6 一个
3 一个
1.5 一个
1
0.1
1
10
100
10
100
1000
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
V
GS
=
4.5 v
2.5 v
1.8 v
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
一般 源
V
DS
=
10 v
脉冲波 测试
Ta
=
100°C
Ta
=
55°C
Ta
=
25°C
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