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资料编号:657214
资料名称:
TPC8208
文件大小: 226.24K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8208
2003-02-18
4
I
D
– v
DS
I
D
– v
DS
I
D
– v
GS
V
DS
– v
GS
|Y
fs
| – i
D
R
ds (在)
– i
D
向前 转移 admittance
Y
fs
(s)
流-源 电压
V
DS
(v)
流-源 电压
V
DS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
流-源 电压
V
DS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
门-源 电压 v
GS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
门-源 电压 v
GS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
流 电流
I
D
(一个)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
)
V
GS
1.4 v
0 0.2 0.4 0.6
一般 源
Ta
25°C
脉冲波 测试
0.8 1
0
2
4
6
8
10
1.9
2.5
2
4
10
3
1.8
1.7
1.6
1.5
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5
2
4
6
8
10
一般 源
V
DS
10 v
脉冲波 测试
Ta
55°C
100
25
0
0 2 4 6 8 10 12
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
一般 源
Ta
25°C
脉冲波 测试
I
D
5 一个
2.5
1.2
1
0.1 1
10 100
10
100
1000
V
GS
2.5 v
4
一般 源
Ta
25°C
脉冲波 测试
0.1
0.1 1
10 30
1
10
100
一般 源
V
DS
10 v
脉冲波 测试
Ta
55°C
100
25
0
4
8
12
16
20
0
0.4
0.8
1.2 1.6 2.0
V
GS
1.4 v
10
5
4
一般
源
Ta
25°C
脉冲波 测试
1.8
2.6
3
2.4
2.2
2.0
1.6
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