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资料编号:657233
 
资料名称:TPC6104
 
文件大小: 205.66K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
 
 


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TPC6104
2004-07-06
3
标记
(便条 5)
便条 1: 确保 那 这 频道 温度 做 不 超过 150°c.
便条 2: (一个) 设备 挂载 在 一个 glass-环氧的 板 (一个) (t
=
5 s)
(b) 设备 挂载 在 一个 glass-环氧的 板 (b) (t
=
5 s)
便条 3: V
DD
=
16 v, t
ch
=
25°c (最初的), l
=
0.5 mh, r
G
=
25
, i
AR
=
2.75 一个
便条 4: repetitive 比率;:脉冲波 宽度 限制 用 最大 频道 温度
便条 5:
在 更小的 left 的 这 标记 indicates 管脚 1.
(一个)
fr-4
25.4
×
25.4
×
0.8
单位: (mm)
(b)
fr-4
25.4
×
25.4
×
0.8
单位: (mm)
部分 非.
(或者 abbreviation 代号)
S3D
一个 线条 indicates
含铅的 (铅)-自由 包装 或者
含铅的 (铅)-自由 完成.
lot 代号 (month)
lot 非.
管脚 #1
lot 代号
(年)
产品-明确的 代号
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