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TPDV 625 ---> 1225
March 1995
ALTERNISTORS
标识 参数 值 单位
I
t(rms)
RMS 在-状态 电流
(360
°
传导 角度)
Tc = 85
°
C25 一个
I
TSM
非 repetitive surge 顶峰 在-状态 电流
( Tj 最初的 = 25
°
c)
tp = 2.5 ms 390 一个
tp = 8.3 ms 250
tp = 10 ms 230
I
2
德州仪器
2
t 值 tp = 10 ms 265 一个
2
s
di/dt 核心的 比率 的 上升 的 在-状态 电流
门 供应 : I
G
= 500mA di
G
/dt = 1a/
µ
s
Repetitive
F = 50 Hz
20 一个/
µ
s
非
Repetitive
100
Tstg
Tj
存储 和 运行 接合面 温度 范围 - 40 至 + 150
- 40 至 + 125
°
C
°
C
Tl 最大 含铅的 温度 为 焊接 在 10 s 在 4.5 mm
从 情况
260
°
C
顶 3
(塑料)
A1
A2
G
.
高 COMMUTATION : > 88 一个/ms (400hz)
.
INSULATING 电压 = 2500V
(rms)
(ul 公认的 : eb81734)
.
高 电压 能力 : V
DRM
= 1200 V
描述
标识 参数 TPDV 单位
625 825 1025 1225
V
DRM
V
RRM
Repetitive 顶峰 止-状态 电压
Tj = 125
°
C
600 800 1000 1200 V
绝对 比率
(限制的 值)
特性
这 TPDV 625 ---> 1225 使用 一个 高 效能
passivated glass alternistor 技术. Featuring
非常 高 commutation 水平 和 高 surge cur-
rent 能力, 这个 家族 是 好 adapted 至 电源
控制 在 inductive 加载 (发动机, 变压器...)
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TPDV 625 ---> 1225 March 1995 ALTERNISTORS 标识参数值单位 I t(rms) RMS 在-状态电流 (360 ° 传导角度) Tc = 85 ° C25 一个 I TSM 非 repetitive surge 顶峰在-状态电流 ( Tj 最初的 = 25 ° c) tp = 2.5 ms 390 一个 tp = 8.3 ms 250 tp = 10 ms 230 I 2 德州仪器 2 t 值 tp = 10 ms 265 一个 2 s di/dt 核心的比率的上升的在-状态电流门供应 : I G = 500mA di G /dt = 1a/ µ s Repetitive F = 50 Hz 20 一个/ µ s 非 Repetitive 100 Tstg Tj 存储和运行接合面温度范围 - 40 至 + 150 - 40 至 + 125 ° C ° C Tl 最大含铅的温度为焊接在 10 s 在 4.5 mm 从情况 260 ° C 顶 3 (塑料) A1 A2 G . 高 COMMUTATION : > 88 一个/ms (400hz) . INSULATING 电压 = 2500V (rms) (ul 公认的 : eb81734) . 高电压能力 : V DRM = 1200 V 描述标识参数 TPDV 单位 625 825 1025 1225 V DRM V RRM Repetitive 顶峰止-状态电压 Tj = 125 ° C 600 800 1000 1200 V 绝对比率 (限制的值) 特性这 TPDV 625 ---> 1225 使用一个高效能 passivated glass alternistor 技术. Featuring 非常高 commutation 水平和高 surge cur- rent 能力, 这个家族是好 adapted 至电源控制在 inductive 加载 (发动机, 变压器...) 1/5

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