scds183 –january 2005
www.德州仪器.com
12
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
图示 4. 泄漏 电流 vs 温度
(v
+
= 5.5 v)
−40
°
C25
°
C85
°
C
I
非(止)
/i
com(止)
I
非(止),
comhi/i
nc(止)
I
nc(止),
COMHI
I
nc(在)
I
com(在)
I
非(在)
I
com(在),
com>非
泄漏 (na)
T
一个
(
c)
−3.5
−3.0
−2.5
−2.0
−1.5
−1.0
−0.5
0.0
0.5
0123456
图示 5. 承担 injection (q
C
) vs v
COM
偏差 voltage (v)
承担 injection (pc)
V
CC
= 3.3 v
V
CC
= 5 v
0
2
4
6
8
10
12
14
图示 6. t
在
和 t
止
vs v
+
供应 voltage (v)
t
在
/t
止
(ns)
t
在
t
止
1.65 2.3 2.95 3.6 4.25 4.9 5.55
0
1
2
3
4
5
6
图示 7. t
在
和 t
止
vs 温度 (v
+
= 5 v)
T
一个
(
c)
t
在
/t
止
(ns)
−40
°
C25
°
C85
°
C
t
止
t
在
图示 8. 逻辑 门槛 vs v
+
V
+
(v)
逻辑 门槛 (v)
V
IL
V
IH
T
一个
= 25
C
3.5
2.6 4.1 5.12.1 3.6 4.6 5.63.11.6
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
−60
−50
−40
−30
−20
−10
0
图示 9. 带宽 (v
+
= 5 v)
频率 (mhz)
增益 (db)
阶段
−6
−5
−4
−3
−2
−1
0
0.1 1 100010 100
增益
阶段
: 点此下载
