1999 8月 11 9
飞利浦 半导体 产品 规格
2.65 ghz 双向的 i
2
c-总线 控制
synthesizer
TSA5055T
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
处理
所有 管脚 承受 这 静电释放 测试 在 一致 和
“mil-标准-883c”
, 类别 一个 (1000 v).
热的 特性
特性
V
CC
= 5 v; t
amb
=25
°
c; 除非 否则 specified.
标识 参数 最小值 最大值 单位
V
CC
供应 电压
−
0.3 +6 V
V
o(pd)
承担-打气 (pd) 输出 电压
−
0.3 V
CC
V
V
i(q1)
结晶 (q1) 输入 电压
−
0.3 V
CC
V
V
i/o(sda)
串行 数据 (sda) 输入/输出 电压
−
0.3 +6 V
V
i(scl)
串行 时钟 (scl) 输入 电压
−
0.3 +6 V
V
i/o(p7-p0)
输入/输出 端口 (p7 至 p3 和 p0) 电压
−
0.3 +16 V
V
i(rfin)
预分频器 输入 (rf
IN1
和 rf
IN2
) 电压
−
0.3 +2.5 V
V
o(ud)
驱动 输出 (ud) 电压
−
0.3 V
CC
V
I
o(p4-p7)
输出 端口 (p7 至 p4) 电流 (打开-集电级)
−
1 +15 毫安
I
o(sda)
串行 数据 (sda) 输出 电流 (打开-集电级)
−
1+5mA
T
stg
存储 温度
−
40 +150
°
C
T
j
最大 接合面 温度
−
150
°
C
标识 参数 情况 值
单位
R
th(j-一个)
从 接合面 至 包围的 在 自由 空气 110 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CC
供应 电压 范围 4.5 5 5.5 V
T
amb
包围的 温度
−
20
−
+85
°
C
f
RF
RF 输入 频率 范围 1
−
2.65 GHz
N 分隔物 比率 256
−
32767
I
CC
供应 电流
−
60 80 毫安
f
XTAL
结晶 振荡器 频率 3.2 4 4.48 MHz
Z
XTAL
结晶 振荡器 阻抗 (管脚 2) 绝对 值 600 1000
−Ω
V
xtal(p-p)
驱动 水平的 在 管脚 2 (quartz 飞利浦
4322 143 04093) (顶峰-至-顶峰
值)
−
110
−
mV
V
i(rms)
输入 电压 水平的 (rms 值) V
CC
= 4.5 至 5.5 v;
T
amb
=
−
20 至 +85
°
c; 看
典型 敏锐的 曲线 在
图.5
f = 1 至 1.8 GHz 50/
−
13
−
300/2.6 mv/dbm
f = 1.8 至 2.65 GHz 70/
−
10
−
300/2.6 mv/dbm
R
I
预分频器 输入 阻抗 看 smith chart 在 图.6
−
50
−Ω
C
I
输入 电容
−
2
−
pF
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