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2000 Oct 24 3
飞利浦 半导体 产品 规格
2.7 ghz i
2
c-总线 控制 低 阶段
噪音 频率 synthesizer
TSA5059A
快 涉及 数据
V
CC
= 4.75 至 5.25 v; t
amb
=
−
20 至 +85
°
c; 除非 否则 speciﬁed.
注释
1. 位 pe needs 至 是 设置 至 逻辑 1 为 一个 频率 高等级的 比 2.3 ghz.
2. asymmetrical 驱动 在 管脚 RFA 或者 rfb; 看 图.3.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CC
供应 电压 4.75 5.0 5.25 V
I
CC
供应 电流 T
amb
=25
°
C 303745mA
f
i(rf)
RF 输入 频率 便条 1 900
−
2700 MHz
V
i(rf)(rms)
RF 输入 电压 (rms 值) f
i(rf)
从 900 至 2200 mhz;
便条 2
7.1
−
300 mV
−
30
−
+2.5 dBm
f
i(rf)
从 2.2 至 2.7 ghz;
便条 2
22.4
−
300 mV
−
20
−
+2.5 dBm
f
xtal
结晶 频率 4
−
16 MHz
T
amb
包围的 温度
−
20
−
+85
°
C
T
stg
存储 温度
−
40
−
+150
°
C

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2000 Oct 24 3 飞利浦半导体产品规格 2.7 ghz i 2 c-总线控制低阶段噪音频率 synthesizer TSA5059A 快涉及数据 V CC = 4.75 至 5.25 v; t amb = − 20 至 +85 ° c; 除非否则 speciﬁed. 注释 1. 位 pe needs 至是设置至逻辑 1 为一个频率高等级的比 2.3 ghz. 2. asymmetrical 驱动在管脚 RFA 或者 rfb; 看图.3. 标识参数情况最小值典型值最大值单位 V CC 供应电压 4.75 5.0 5.25 V I CC 供应电流 T amb =25 ° C 303745mA f i(rf) RF 输入频率便条 1 900 − 2700 MHz V i(rf)(rms) RF 输入电压 (rms 值) f i(rf) 从 900 至 2200 mhz; 便条 2 7.1 − 300 mV − 30 − +2.5 dBm f i(rf) 从 2.2 至 2.7 ghz; 便条 2 22.4 − 300 mV − 20 − +2.5 dBm f xtal 结晶频率 4 − 16 MHz T amb 包围的温度 − 20 − +85 ° C T stg 存储温度 − 40 − +150 ° C

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