E
看 新 设计 recommendations
12月 1997 顺序 号码: 290531-005
n
intel smartvoltage 技术
5 v 或者 12 v 程序/擦掉
3.3 v 或者 5 v 读 运作
n
非常 高-效能 读
5 v: 60 ns 进入 时间
3 v: 110 ns 进入 时间
n
低 电源 消耗量
最大值 60 毫安 读 电流 在 5 v
最大值 30 毫安 读 电流 在
3.3 v
–3.6 v
n
x8/x16-可选择的 输入/输出 总线
28f200 为 高 效能 16- 或者
32-位 cpus
n
x8-仅有的 输入/输出 architecture
28f002b 为 空间-constrained
8-位 产品
n
优化 排列 blocking architecture
一个 16-kb 保护 激励 块
二 8-kb 参数 blocks
96-kb 和 128-kb 主要的 blocks
顶 或者 bottom 激励 locations
n
扩展 温度 运作
–40 °c 至 +85 °c
n
扩展 块 擦掉 cycling
100,000 循环 在 商业的 温度
10,000 循环 在 扩展 温度
n
automated 文字/字节 程序 和
块 擦掉
command 用户 接口
状态 寄存器
擦掉 suspend 能力
n
sram-兼容 写 接口
n
自动 电源 savings 特性
n
重置/深的 电源-向下 输入
0.2 µa i
CC
典型
提供 重置 为 激励 行动
n
硬件 数据 保护 特性
绝对 硬件-保护 为
激励 块
写 lockout 在 电源
Transitions
n
工业-标准 表面 挂载
包装
40-, 48-, 56-含铅的 tsop
44-含铅的 psop
n
footprint upgradeable 至 4-mbit 和
8-mbit 激励 块 flash memories
n
etox™ iv flash 技术
新 设计 recommendations:
为 新 2.7 v
–3.6 v v
CC
设计 和 这个 设备, intel 推荐 使用 这 smart 3 先进的 激励
块. 涉及
smart 3 先进的 激励 块 4-mbit, 8-mbit, 16-mbit flash 记忆 家族
数据手册,
顺序 号码 290580.
为 新 5 v v
CC
设计 和 这个 设备, intel 推荐 使用 这 2-mbit smart 5 激励 块. 涉及
smart 5 flash 记忆 家族
2, 4, 8 mbit
数据手册, 顺序 号码 290599.
这些 documents 是 也 有 在 intel’s 网站, http://www.intel.com/设计/flcomp.
涉及 仅有的
2-mbit smartvoltage 激励 块
flash 记忆 家族
28f200bv-t/b, 28f200cv-t/b, 28f002bv-t/b
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