STTH1002C
4/8
t(ns)
rr
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10 100 1000
dI /dt(一个/µs)
F
I =5A
F
V =160V
R
T =25°C
j
T =125°C
j
图. 6:
反转 恢复 时间 相比 dI
F
/dt
(典型 值, 每 二极管).
i(一个)
RM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
10 100 1000
dI /dt(一个/µs)
F
I =5A
F
V =160V
R
T =25°C
j
T =125°C
j
图. 7:
顶峰 反转 恢复 电流 相比 dI
F
/dt
(典型 值, 每 二极管).
I
RM
Q
rr
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25 50 75 100 125 150
T (°c)
j
q;
rr
I [T ]/q ;i [T =125°C]
RM j rr RM j
I =5A
F
V =160V
R
图. 8:
动态 参数 相比 接合面
温度.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
R (°c/w)
th(j-一个)
s(cu)(cm²)
图. 9-2:
热的 阻抗 接合面 至 包围的
相比 铜 表面 下面 tab (环氧的 打印
电路 板 fr4, e
CU
: 35µm) 为 dpak.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
02468101214161820
s(cu)(cm²)
R (°c/w)
th(j-一个)
图. 9-1:
热的 阻抗 接合面 至 包围的
相比 铜 表面 下面 tab (环氧的 打印
电路 板 fr4, e
CU
: 35µm) 为 D
2
pak.
Q (nc)
rr
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
10 100 1000
dI /dt(一个/µs)
F
I =5A
F
V =160V
R
T =25°C
j
T =125°C
j
图. 5:
反转 恢复 charges 相比 dI
F
/dt
(典型 值, 每 二极管).