K4S643232C cmos sdram
rev. 1.1 十一月 '99
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绝对 最大 比率
参数 标识 值 单位
电压 在 任何 管脚 相关的 至 vss V在, v输出 -1.0 ~ 4.6 V
电压 在 vDD供应 相关的 至 vss VDD, vDDQ -1.0 ~ 4.6 V
存储 温度 TSTG -55 ~ +150
°
C
电源 消耗 PD 1 W
短的 电路 电流 IOS 50 毫安
永久的 设备 损坏 将 出现 如果 "绝对 最大 比率" 是 超过.
函数的 运作 应当 是 restricted 至 推荐 运行 情况.
暴露 至 高等级的 比 推荐 电压 为 扩展 时期 的 时间 可以 影响 设备 可靠性.
便条 :
管脚 函数 描述
管脚 名字 输入 函数
CLK
系统 时钟
起作用的 在 这 积极的 going 边缘 至 样本 所有 输入.
CS
碎片 选择
使不能运转 或者 使能 设备 运作 用 masking 或者 enabling 所有 输入 除了
clk, cke 和 dqm.
CKE
时钟 使能
masks 系统 时钟 至 freeze 运作 从 这 next 时钟 循环.
cke 应当 是 使能 在 least 一个 循环 较早的 至 新 command.
使不能运转 输入 缓存区 为 电源 向下 模式.
一个0~ 一个10
地址
行/column 地址 是 多路复用 在 这 一样 管脚.
行 地址 : ra0~ ra10, column 地址 : ca0~ ca7
ba0,1
bank 选择 地址
选择 bank 至 是 使活动 在 行 地址 获得 时间.
选择 bank 为 读/写 在 column 地址 获得 时间.
RAS
行 地址 strobe
latches 行 地址 在 这 积极的 going 边缘 的 这 clk 和RAS低.
使能 行 进入 &放大; precharge.
CAS
column 地址 strobe
latches column 地址 在 这 积极的 going 边缘 的 这 clk 和CAS低.
使能 column 进入.
我们
写 使能
使能 写 运作 和 行 precharge.
latches 数据 在 开始 从CAS,我们起作用的.
dqm0 ~ 3
数据 输入/输出 掩饰
制造 数据 输出 hi-z, tSHZ之后 这 时钟 和 masks 这 输出.
blocks 数据 输入 当 dqm 起作用的.
DQ0~31
数据 输入/输出
数据 输入/输出 是 多路复用 在 这 一样 管脚.
VDD/vSS
电源 供应/地面
电源 和 地面 为 这 输入 缓存区 和 这 核心 逻辑.
VDDQ/vSSQ
数据 输出 电源/地面
分开的 电源 供应 和 地面 为 这 输出 缓存区 至 提供 改进 噪音
免除.
NC
非 连接
这个 管脚 是 推荐 至 是 left 非 连接 在 这 设备.
电容
(vDD= 3.3v, t一个= 23
°
c, f = 1mhz, vREF= 1.4v
±
200mv)
管脚 标识 最小值 最大值 单位
时钟 CCLK 2.5 4 pF
RAS,CAS,我们,CS, cke, dqm C在 2.5 4.5 pF
地址 C增加 2.5 4.5 pF
DQ0~ dq31 C输出 4.0 6.5 pF
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