K4S643232C cmos sdram
rev. 1.1 十一月 '99
- 6 -
直流 特性
(推荐 运行 情况 除非 否则 指出, t一个= 0 至 70
°
c)
参数 标识 测试 情况
CAS
Latency
版本
单位 便条
-55 -60 -70 -80 -10
运行 电流
(一个 bank 起作用的)
ICC1
burst 长度 = 1
tRC
≥
tRC(最小值)
Io= 0 毫安
3 140 140 130 130 115
毫安 2
2 - - - 130 115
precharge 备用物品 电流
在 电源-向下 模式
ICC2P CKE
≤
VIL(最大值), tCC= 15ns 2
毫安
ICC2PS cke &放大; clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
2
precharge 备用物品 电流
在 非 电源-向下 模式
ICC2N
CKE
≥
VIH(最小值),CS
≥
VIH(最小值), tCC= 15ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 30ns
20 毫安
ICC2NS
CKE
≥
VIH(最小值), clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
输入 信号 是 稳固的
10 毫安
起作用的 备用物品 电流 在
电源-向下 模式
ICC3P CKE
≤
VIL(最大值), tCC= 15ns 3
毫安
ICC3PS cke &放大; clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
3
起作用的 备用物品 电流 在
非 电源-向下 模式
(一个 bank 起作用的)
ICC3N
CKE
≥
VIH(最小值),CS
≥
VIH(最小值), tCC= 15ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 30ns
30 毫安
ICC3NS
CKE
≥
VIH(最小值), clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
输入 信号 是 稳固的
20 毫安
运行 电流
(burst 模式)
ICC4
Io= 0 毫安
页 burst
2 banks 使活动
3 220 200 180 150 130
毫安 2
2 - - - 130 110
refresh 电流 ICC5 tRC
≥
tRC(最小值)
3 200 200 180 160 150
毫安 3
2 - - - 160 150
自 refresh 电流 ICC6 CKE
≤
0.2v
2 毫安 4
450 uA 5
1. 除非 否则 注释, 输入 水平的 是 cmos(vIH/vIL=VDDQ/vSSQ) 在 lvttl.
2. 量过的 和 输出 打开.
3. refresh 时期 是 64ms.
4. k4s643232c-tc**
5. k4s643232c-tl**
注释 :
直流 运行 情况
推荐 运行 情况 (电压 关联 至 vSS= 0v, t一个= 0 至 70
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 便条
供应 电压 VDD, vDDQ 3.0 3.3 3.6 V 4
输入 逻辑 高 电压 VIH 2.0 3.0 VDDQ+0.3 V 1
输入 逻辑 低 电压 VIL -0.3 0 0.8 V 2
输出 逻辑 高 电压 VOH 2.4 - - V IOH= -2ma
输出 逻辑 低 电压 VOL - - 0.4 V IOL= 2ma
输入 泄漏 电流 ILI -10 - 10 uA 3
1. vIH(最大值) = 5.6v 交流.这 越过 电压 持续时间 是
≤
3ns.
2. vIL(最小值) = -2.0v 交流. 这 undershoot 电压 持续时间 是
≤
3ns.
3. 任何 输入 0v
≤
V在
≤
VDDQ,
输入 泄漏 电流 包含 hi-z 输出 泄漏 为 所有 bi-directional 缓存区 和 触发-状态 输出.
4. 这 vdd 情况 的 k4s643232c-55/60 是 3.135v~3.6v.
注释 :
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