byq28e, byq28ef, byq28eb, ug10dct, ugf10dct, ugb10dct 序列
vishay 半导体
formerly 一般 半导体
文档 号码 88549 www.vishay.com
27-六月-03 3
比率 和
典型的 曲线
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
I
F
–
instantaneous 向前 电流 (一个)
100
10
I
R
–
instantaneous 反转 电流 (
µ
一个)
典型 反转 特性 每 leg
1.0
0.1
0.01
向前 电流 减额 曲线
0
5
15
0
50
100
150
10
平均 向前 电流 (一个)
顶峰 向前 surge 电流 (一个)
号码 的 循环 在 60 h
Z
最大 非-repetitive 顶峰
向前 surge 电流 每 leg
1
10
100
110
100
情况 温度 (
°
c)
1.0
10
100
1000
0.1
T
J
= 125
°
C
100
°
C
25
°
C
resistive 或者 inductive 加载
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
110
100
10
100
1
0.1
反转 电压 (v)
T
J
= 125
°
C
f = 1.0 mh
Z
V
sig
= 50mvp-p
0.2 0.4 0.8 1.40.6 1.0 1.2
脉冲波 宽度 = 300
µ
s
1% 职责 循环
T
C
= 105
°
C
8.3ms 单独的 half sine-波
(电子元件工业联合会 方法)
T
J
= 100
°
C
反转 切换
特性 每 leg
0
50
25
50 75
100
125
10
20
30
贮存 承担/反转 恢复 时间
(nc/ns)
40
@5a, 50a/
µ
s
@2a, 20a/
µ
s
@2a, 20a/
µ
s
@1a, 100a/
µ
s
@5a, 50a/
µ
s
20 10040 60 80
百分比 的 评估 顶峰 反转 电压 (%)
典型 接合面 电容 每 leg
pF
–
接合面 电容
典型 instantaneous
向前 特性 每 leg
instantaneous 向前 电压 (v)
接合面 温度 (
°
c)
@1a, 100a/
µ
s
t
rr
Q
rr
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