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手机版
资料编号:671880
资料名称:
UGF27025
文件大小: 315.34K
说明
:
介绍
:
25W, 2.7 GHz, 28V Broadband RF Power N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
页 2 的 7
ugf27025 rev. 1
规格 主题 至 改变 没有 注意
http://www.cree.com/
UGF27025
最大 比率
比率
标识
值
单位
流 至 源 电压, 门 连接 至 源
V
DSS
65
伏特
门 至 源 电压
V
GSS
+15 至 -0.5
伏特
总的 设备 消耗 @ tcase = 70
o
C
减额 在之上 70
o
C
P
D
83.5
0.48
Watts
w/
o
C
存储 温度 范围
T
stg
-65 至 +150
o
C
最大 运行 接合面 温度
T
J
200
o
C
热的 特性
典型的
标识
典型
单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况
Θ
JC
2.1
o
c/w
电的 直流 特性
(tc=25
°
c 除非 否则 指定)
比率
标识
最小值
典型值
最大值
单位
流 至 源 损坏 电压
(v
GS
=0, i
D
=1ma)
BV
DSS
65
-
-
伏特
流 至 源 泄漏 电流
(v
DS
=28v, v
GS
=0)
I
DSS
-
-
1.0
毫安
门 至 源 泄漏 电流
(v
GS
=15v, v
DS
=0)
I
GSS
-
-
1.0
µ
一个
门槛 电压
(v
DS
=10v, i
D
=1ma)
V
gs(th)
-
3.5
-
伏特
门 安静的 电压
(v
DS
=28 v, i
D
=330ma)
V
gs(q)
3.0
4.0
5.0
伏特
流 至 源 在 电压
(v
GS
=10v, i
D
=1a)
V
ds(在)
-
-
0.33
伏特
向前 跨导
(v
DS
=10v, i
D
=1a)
Gm
1.0
-
-
S
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