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april 7, 2005
UL634H256
nonvolatile 记忆 行动
模式 选择
E
W HSB
a13 - a0
(十六进制)
模式 i/o 电源 注释
H X H X 不 选择 输出 高 z 备用物品
L H H X 读 sram 输出 数据 起作用的 l
L L H X 写 sram 输入 数据 起作用的
LHH 0E38
31C7
03E0
3C1F
303F
0FC0
读 sram
读 sram
读 sram
读 sram
读 sram
nonvolatile store
输出 数据
输出 数据
输出 数据
输出 数据
输出 数据
输出 高 z
起作用的 k, l
k, l
k, l
k, l
k, l
k
LHH 0E38
31C7
03E0
3C1F
303F
0C63
读 sram
读 sram
读 sram
读 sram
读 sram
nonvolatile recall
输出 数据
输出 数据
输出 数据
输出 数据
输出 数据
输出 高 z
起作用的 k, l
k, l
k, l
k, l
k, l
k
X X L X store/inhibit 输出 高 z I
CC2
/备用物品 m
k: 这 六 consecutive 地址 必须 是 在 顺序 列表 (0e38, 31c7, 03e0, 3c1f, 303f, 0fc0) 为 一个 store 循环 或者 (0e38, 31c7,03e0, 3c1f,
303f, 0c63) 为 一个 recall 循环. w
必须 是 高 在 所有 六 consecutive 循环. 看 store 循环 和 recall 循环 tables 和 dia-
grams 为 更远 详细信息.
这 下列的 六-地址 sequence 是 使用 为 测试 目的 和 应当 不 是 使用: 0e38, 31c7, 03e0, 3c1f, 303f, 339c.
l: i/o 状态 假设 那 g
≤
V
IL
. 触发 的 nonvolatile 循环 做 不 取决于 在 这 状态 的 g.
m: HSB
initiated store 运作 的确 occurs 仅有的 如果 一个 写 有 被 完毕 自从 last store 运作. 之后 这 store (如果 任何)
完成, 这 部分 将 go 在 备用物品 模式 inhibiting 所有 运作 直到 hsb
rises.
非.
PowerStore
电源 向上 recall/
硬件 控制 store
标识
情况 最小值 最大值 单位
alt. IEC
24 电源 向上 recall 持续时间
n, e
t
RESTORE
650
µ
s
25 store 循环 持续时间 t
HLQX
t
d(h)s
V
CC
>
2.7 v 10 ms
26 HSB
低 至 inhibit 在
e
t
HLQZ
t
dis(h)s
500 ns
27 HSB
高 至 inhibit 止
e
t
HHQX
t
en(h)s
700 ns
28 外部 store 脉冲波 宽度
e
t
HLHX
t
w(h)s
20 ns
HSB
输出 低 电流
e,o
I
HSBOL
HSB= v
OL
1.8 毫安
HSB
输出 高 电流
e, o
I
HSBOH
HSB= v
IL
560µA
低 电压 触发 水平的 V
转变
2.4 2.7 V
n: t
RESTORE
开始 从 这 时间 v
CC
rises 在之上 v
转变
.
o: HSB
是 一个 i/o 那 有 一个 week 内部的 pullup; 它 是 basically 一个 打开 流 输出. 它 是 meant 至 准许 向上 至 32 ul634h256 至 是ganged
一起 为 同时发生的 storing. 做 不 使用 hsb
至 pullup 任何 外部 电路系统 其它 比 其它 ul634h256 hsb管脚.
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