emy1 / umy1n / fmy1a
晶体管
0.2
20
10
0.5 1 2 5 10 20 50 100 200
50
100
200
500
V
CE
=5V
3V
1V
Ta=25
˚
C
直流 电流 增益 : h
FE
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.13 直流 电流 增益 vs. 集电级
电流 ( i )
0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200
20
10
50
100
200
500
25
˚
C
−
55
˚
C
Ta=100
˚
C
V
CE
=5V
直流 电流 增益 : h
FE
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.14 直流 电流 增益 vs. 集电级
电流 ( ii )
0.2
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.5 1 2 5 10 20 50 100 200
I
C
/i
B
=50
20
10
Ta=25
˚
C
集电级 饱和 电压 : v
ce (sat)
(v)
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.15 集电级-发射级 饱和
电压 vs. 集电级 电流 ( i )
0.2
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.5 1 2 5 10 20 50 100 200
I
C
/i
B
=10
Ta=100
˚
C
25
˚
C
−
55
˚
C
集电级 饱和 电压 : v
ce (sat)
(v)
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.16 集电级-发射级 饱和
电压 vs. 集电级 电流 ( ii )
0.2
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.5 1 2 5 10 20 50 100
I
C
/i
B
=50
Ta=100
˚
C
25
˚
C
−
55
˚
C
集电级 饱和 电压 : v
ce (sat)
(v)
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.17 集电级-发射级 饱和
电压 vs. 集电级 电流 ( iii )
50
−
0.5
−
1
−
2
−
5
−
10
−
20
−
50
−
100
100
200
500
Ta=25
˚
C
V
CE
=6V
发射级 电流 : i
E
(毫安)
转变 频率 : f
T
(mhz)
图.18 增益 带宽 产品 vs.
发射级 电流
0.2 0.5 1 2 5 10 20 50
1
2
5
10
20
Cib
Cob
集电级 至 根基 电压 : v
CB
(v)
发射级 至 根基 电压
: v
EB
(v)
集电级 输出 电容 : cob
(pf)
发射级 输入 电容
: cib
(pf)
图.19 集电级 输出 电容 vs.
集电级-根基 电压
发射级 输入 电容 vs.
发射级-根基 电压
Ta=25
˚
C
f
=
1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
−
0.2
−
0.5
−
1
−
2
−
5
−
10
10
20
50
100
200
发射级 电流 : i
E
(毫安)
图.20 根基-集电级 时间 常量 vs.
发射级 电流
根基 集电级 时间 常量 : cc r
bb'
(ps)
Ta=25
˚
C
f=32MH
Z
V
CB
=6V
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