rev 0.6 / oct. 2004 7
hy27ss(08/16)121m 序列
hy27us(08/16)121m 序列
512mbit (64mx8bit / 32mx16bit) 与非 flash
记忆 排列 organization
这 记忆 排列 是 制造 向上 的 与非 结构 在哪里 16 cells 是 连接 在 序列.
这 记忆 排列 是 有组织的 在 blocks在哪里 各自 块 包含 32 页. the 排列 是 分割 在 二 areas, 这
主要的 范围 和 这 spare 范围. 这 主要的 范围 的 这 排列 是使用 至 store 数据 whereas 这 spare 范围 是 典型地 使用
至 store 错误 纠正 代号, software flags 或者 bad 块 identification.
在 x8 设备 这 页 是 分割 在 一个 主要的 范围 和 二half 页 的 256 字节 各自 和 一个 spare 范围 的 16 字节.
在 这 x16 设备 这 页 是 分割 在 一个 256 文字 主要的 范围 和 一个 8 文字 spare 范围. 谈及 至 图示 8, 记忆
排列 organization.
bad blocks
这 与非 flash 528 字节/ 264 文字 页 设备 将 包含 bad blocks, 那 是 blocks 那 包含 一个 或者 更多
invalid 位 谁的 可靠性 是 不 有保证的. 额外的bad blocks 将 开发 在这 存在期 的 这 设备.
这 bad 块 信息 是 写 较早的 至 shipping (refer 至 bad 块 管理 部分 为 更多 详细信息).
这 值 显示 包含 两个都 这 bad blocks 那 是 present 当 这 设备 是 shipped 和 这 bad blocks 那
可以 开发 后来的 在.
这些 blocks 需要 至 是 managed 使用 bad blocks 毫安nagement, 块 替换 或者 错误 纠正 代号.
图示 7. 记忆 排列 organization
1st half 页
(256 字节)
2nd half 页
(256 字节)
块
页
512 字节
16
字节
8 位
8 位
512 字节
16
字节
页 缓存区, 528 字节
x8 设备
块= 32 页
页= 528 字节 (512+16)
主要的 范围
块
页
256 words
8
Words
16 位
16 位
256 words
8
Words
页 缓存区, 264 words
x16 设备
块= 32 页
页= 264 words (256+8)
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