USBUFxxW6
5/9
静电释放 surge
Vinput
Voutput
Rload
Rg
Rt
S1
Rd
V
BR
V
BR
V
PP
设备
至 是
保护
USBUF01W6
Rd
S2
图. a5:
USBUFxxW6 静电释放 夹紧 行为
测试 板
静电释放
SURGE
16kV
空气
释放
Vin Vout
UUx
图. a6:
度量 板
至 有 一个 好的 approximation 的 这 remaining 电压 在 两个都 Vin 和 Vout stages, 我们 给 这 典型
dynamical 阻抗 值 rd. 用 带去 在 账户 这些 下列的 hypothesis : rt>rd, rg>rd 和
rload>rd, 它 给 这些 formulas:
Vinput
RV RV
R
gBR dg
g
=
+
..
Voutput
R V R Vinput
R
tBR d
t
=
+
..
这 结果 的 这 计算 完毕 为 vg=8kv, Rg=330
Ω
(iec61000-4-2 标准), V
BR
=7V (典型值.)
和 Rd = 1
Ω
(典型值.) 给:
Vinput = 31.2 V
Voutput = 7.95 V
这个 confirms 这 非常 低 remaining 电压 横过 这 设备 至 是 保护. 它 是 也 重要的 至 便条
那 在 这个 approximation 这 parasitic 电感 效应 是 不 带去 在 账户. 这个 可以 是 few
tenths 的 伏特 在 few ns 在 这 Vinput 一侧. 这个 parasitic 效应 是 不 呈现 在 这 Voutput 一侧 预定的
这 低 电流 involved 之后 这 阻抗 rt.
这 度量 完毕 hereafter 显示 非常 clearly (图. a7) 这 高 效率 的 这 静电释放 保护 :
- 非 影响 的 这 parasitic inductances 在 Voutput 平台
- Voutput 夹紧 电压 非常 关闭 至 V
BR
(损坏 电压) 在 这 积极的 方法
和 -v
F
(向前 电压) 在 这 负的 方法
: 点此下载
