USB6Bx
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当 这 USB6Bx 提供 一个 高 免除 至
静电释放 surge, 一个 效率高的 保护 取决于 在 这
布局 的 这 板. 在 这 一样 方法, 和 这 栏杆 至
栏杆 topology, 这 追踪 从 这 V
CC
管脚 至 这
电源 供应 和 从 这 地 管脚 至 地 volt-
age 必须 是 作 短的 作 可能 至 避免
overvoltages 预定的 至 parasitic phenomena (看 图
a1).
It’s 常常 harder 至 连接 这 电源 供应 near
至 这 USB6Bx 不像 这 地面 感谢 至 这
地面 平面 那 准许 一个 短的 连接.
至 确保 这 一样 效率 为 积极的 surges
当 这 连接 can’t 是 短的 足够的, 我们
推荐 至 放 关闭 至 这 USB6Bx 在
V
CC
和 地面, 一个 电容 的 100nF 至 前-
vent 从 这些 种类 的 超（电）压 干扰
(看 图. A2 ).
这 增加 的 这个 电容 将 准许 一个 更好的 pro-
tection 用 供应 在 surge 一个 常量 volt-
age.
图. A3 显示 这 改进 的 这 静电释放 pro-
tection 符合 至 这 recommendations de-
scribed 在之上.
如何 至 确保 一个 好的 静电释放 保护
图. A2
: 静电释放 行为: 优化 布局 和 增加
的 一个 电容 的 100nf.
REF1=GND
vi/o
静电释放
SURGE
i/o
REF2=+Vcc
C=100nF
Lw
vcl+ =
Vcc+Vf
-vf
surge >0
surge <0
vcl- =
t
Vcl+
积极的
SURGE
t
vcl-
负的
SURGE
重要的:
一个 主要的 precaution 至 引领 是 至 放 这 保护
设备 closer 至 这 disturbance 源 (一般地
这 连接).
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