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资料编号:676120
 
资料名称:UT51C164JC-35
 
文件大小: 277.55K
   
说明
 
介绍:
256K X 16 BIT EDO DRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
UTRON
UT51C164
rev 1.4
256k x 16 位 edo dram
utron 技术 公司 P90005
1f, 非. 11, r&放大;d rd. ii, science-based industrial 园区, hsinchu, 台湾, r. o. c.
电话: 886-3-5777882 传真: 886-3-5777919
4
绝对 最大 比率
参数 标识 值 单位
电压 在 任何 管脚 相关的 至 vss V
T
-1.0 至 +7 V
供应 电压 相关的 至 v
SS
V
DD
-1.0 至 +7 V
短的 电路 输出 电流 I
输出
50 毫安
电源 消耗 P
D
1.0 W
运行 温度 T
一个
存储 温度 T
STG
注释: 永久的 设备 损坏 将 出现 如果绝对 最大 比率 是 超过.
推荐 直流 运行 情况
(t
一个
= 0
至 70ºc)
5.0v
参数
标识
最小值 最大值
单位
注释
V
DD
4.5 5.5 v 1
供应 电压
vss 0 0 v -
输入 高 电压 V
IH
2.4 v
DD
+1V V 1
输入 低 电压 V
IL
-0.3 0.8 v 1
注释: 1. 所有 电压 涉及 至 vss
电容
(t
一个
= 25ºc, v
DD
= 5v
±
0.5v
f=1mhz)
参数 标识 典型值 最大值 单位
输入 电容 (a0-a8) C
1 3 4 pf
输入 电容
(
RAS
,
UCAS
,
LCAS
,
我们
,
OE
)
C
2 4 5 pf
输出 电容(dq0-dq15) C
DQ
5 7 pf
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