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资料编号:676120
 
资料名称:UT51C164JC-35
 
文件大小: 277.55K
   
说明
 
介绍:
256K X 16 BIT EDO DRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
UTRON
UT51C164
rev 1.4
256k x 16 位 edo dram
utron 技术 公司 P90005
1f, 非. 11, r&放大;d rd. ii, science-based industrial 园区, hsinchu, 台湾, r. o. c.
电话: 886-3-5777882 传真: 886-3-5777919
6
交流 特性
(t
一个
= 0
至 70°c)
测试 情况: v
DD
= 5.0v±0.5v, v
IH
/ v
IL
=3v / 0v, v
OH
/ v
OL
=2.0 / 0.8)
35 40 50 60
标识 参数
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
单位
便条
1
t
RAS
RAS
脉冲波 宽度
35 75k 40 75k 50 75k 60 75k ns
2
t
RC
读 或者 写 循环 时间 70 75 90 110 ns
3
t
RP
RAS
precharge 时间
25 25 30 40 ns
4
t
CSH
CAS
支撑 时间
35 40 50 60 ns
5
t
CAS
CAS
脉冲波 宽度
8 8 10 10 ns
6
t
RCD
RAS
CAS
延迟
13 24 17 28 19 36 20 45 ns
7
t
RCS
读 command 建制 时间 0 0 0 0 ns
*1
8
t
ASR
行 地址 建制 时间 0 0 0 0 ns
9
t
RAH
行 地址 支撑 时间 6 7 9 10 ns
10
t
ASC
column 地址 建制 时间 0 0 0 0 ns
11
t
CAH
column 地址 支撑 时间 6 7 9 10 ns
12
t
RSH
RAS
CAS
支撑 时间
10 12 14 15 ns
13
t
CRP
CAS
RAS
Precharge
时间
5 5 5 5 ns
14
t
RCH
读 command 支撑 时间
涉及
CAS
0 0 0 0 ns
*2
15
t
RRH
读 command 支撑 时间
涉及
RAS
0 0 0 0 ns
*2
16
t
ROH
RAS
支撑 时间 关联
OE
7 8 10 10 ns
17
t
OAC
进入 时间 从
OE
11 12 14 15 ns
*9
18
t
CAC
进入 时间 从
CAS
11 12 14 15 ns
*3,4,11
19
t
RAC
进入 时间 从
RAS
35 40 50 60 ns
*3,5,6
20
t
CAA
进入 时间 从 column
地址
18 20 24 30 ns
*3,4,7
21
t
LZ
OE
或者
CAS
至 低-z 输出
0 0 0 0 ns
*13
22
t
HZ
OE
或者
CAS
至 高-z
输出
0 5 0 6 0 8 0 10 ns
*13
23
t
AR
column 地址 支撑 时间
RAS
25 30 40 50 ns
24
t
RAD
RAS
至 column 地址
延迟 时间
10 17 12 20 14 26 15 30 ns
*8
25
t
T
转变 时间 1.5 50 1.5 50 1.5 50 1.5 50 ns
*12
26
t
CWL
写 command 至
CAS
含铅的 时间
8 10 10 10 ns
27
t
WCS
写 command 建制 时间 0 0 0 0 ns
*9,10
28
t
WCH
写 command 支撑 时间 5 6 7 10 ns
29
t
WP
写 脉冲波 宽度 5 6 7 10 ns
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