mmsz2v4et1 序列
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2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非
否则 指出, v
F
= 0.95 v 最大值 @ i
F
= 10 毫安)
标识
参数
V
Z
反转 齐纳 电压 @ i
ZT
I
ZT
反转 电流
Z
ZT
最大 齐纳 阻抗 @ i
ZT
I
R
反转 泄漏 电流 @ v
R
V
R
反转 电压
I
F
向前 电流
V
F
向前 电压 @ i
F
齐纳 电压 调整器
I
F
V
I
I
R
I
ZT
V
R
V
Z
V
F
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出, v
F
= 0.9 v 最大值 @ i
F
= 10 毫安)
V
Z1
(v)
(注释 4 和 5)
Z
ZT1
(便条 6)
V
Z2
(v)
(注释 4 和 5)
Z
ZT2
(便条 6)
泄漏 电流
设备
@ i
ZT1
= 5 毫安 @ i
ZT2
= 1 毫安 I
R
@ v
R
设备
设备
标记
最小值 Nom 最大值
最小值 最大值
一个 V
MMSZ2V4ET1 CL1 2.28 2.4 2.52 100 1.7 2.1 600 50 1
MMSZ2V7ET1 CL2 2.57 2.7 2.84 100 1.9 2.4 600 20 1
MMSZ3V0ET1 CL3 2.85 3.0 3.15 95 2.1 2.7 600 10 1
MMSZ3V3ET1 CL4 3.14 3.3 3.47 95 2.3 2.9 600 5 1
MMSZ3V6ET1 CL5 3.42 3.6 3.78 90 2.7 3.3 600 5 1
MMSZ3V9ET1 CL6 3.71 3.9 4.10 90 2.9 3.5 600 3 1
MMSZ4V3ET1 CL7 4.09 4.3 4.52 90 3.3 4.0 600 3 1
MMSZ4V7ET1 CL8 4.47 4.7 4.94 80 3.7 4.7 500 3 2
MMSZ5V1ET1 CL9 4.85 5.1 5.36 60 4.2 5.3 480 2 2
MMSZ5V6ET1 CM1 5.32 5.6 5.88 40 4.8 6.0 400 1 2
MMSZ6V2ET1 平方厘米 5.89 6.2 6.51 10 5.6 6.6 150 3 4
MMSZ6V8ET1 CM3 6.46 6.8 7.14 15 6.3 7.2 80 2 4
MMSZ7V5ET1 CM4 7.13 7.5 7.88 15 6.9 7.9 80 1 5
MMSZ8V2ET1 CM5 7.79 8.2 8.61 15 7.6 8.7 80 0.7 5
MMSZ9V1ET1 CM6 8.65 9.1 9.56 15 8.4 9.6 100 0.5 6
MMSZ10ET1 CM7 9.50 10 10.50 20 9.3 10.6 150 0.2 7
MMSZ11ET1 CM8 10.45 11 11.55 20 10.2 11.6 150 0.1 8
MMSZ12ET1 CM9 11.40 12 12.60 25 11.2 12.7 150 0.1 8
MMSZ13ET1 CN1 12.35 13 13.65 30 12.3 14.0 170 0.1 8
MMSZ15ET1 CN2 14.25 15 15.75 30 13.7 15.5 200 0.05 10.5
MMSZ16ET1 CN3 15.20 16 16.80 40 15.2 17.0 200 0.05 11.2
MMSZ18ET1 CN4 17.10 18 18.90 45 16.7 19.0 225 0.05 12.6
设备 列表 在
bold, italic
是 在 半导体
Preferred
设备.
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用 和
最好的 整体的 值.
4. 这 类型 号码 显示 有 一个 标准 容忍 的
±
5% 在 这 名义上的 齐纳 电压.
5. 容忍 和 电压 designation: 齐纳 电压 (vz) 是 量过的 和 这 齐纳 电流 应用 为 pw = 1 ms.
6. Z
ZT
和 z
ZK
是 量过的 用 dividing 这 交流 电压 漏出 横过 这 设备 用 这 交流 电流 应用. 这 指定 限制 是 为
I
z(交流)
= 0.1 i
z(直流),
和 这 交流 频率 = 1 khz.
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