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v436416s04v(c)tg-75 rev. 1.7 九月 2001
mosel vitelic
v436416s04v(c)tg-75
串行 存在 发现 信息
一个 串行 存在 发现 存储 设备 -
E
2
PROM - 是 聚集 面向 这 单元. informa-
tion 关于 这 单元 配置, 速, 等 是
writtenintotheE
2
PROM 设备 在 单元 pro-
duction 使用 一个 串行 存在 发现 协议 (i
2
C
同步的 2-线 总线)
spd-表格 为 PC133 modules:
字节 号码 函数 描述 SPD Entry 值
十六进制 值
16Mx64
0 号码 的 SPD 字节 128 80
1 总的 字节 在 串行 PD 256 08
2 记忆 类型 SDRAM 04
3 号码 的 行 地址 (没有 BS 位) 12 0C
4 号码 的 Column 地址 (为 x8 sdram) 9 09
5 号码 的 DIMM Banks 2 02
6 单元 数据 宽度 64 40
7 单元 数据 宽度 (持续) 0 00
8 单元 接口 水平 LVTTL 01
9 SDRAM 循环 时间 在 CL=3 7.5 ns 75
10 SDRAM 进入 时间 从 时钟 在 CL=3 5.4 ns 54
11 Dimm Config (错误 det/corr.) 毫无 00
12 Refresh 比率/类型 自-refresh, 15.6
µ
s80
13 SDRAM 宽度, Primary x8 08
14 ErrorCheckingSDRAMDataWidth n/一个/x8 00
15 最小 时钟 延迟 从 后面的 至 后面的 随机的
Column 地址
t
ccd
=1CLK 01
16 Burst 长度 Supported 1, 2, 4, 8 &放大; 全部 页 8F
17 号码 的 SDRAM Banks 4 04
18 Supported CAS
Latencies CL = 2, 3 06
19 CS
Latencies CS Latency = 0 01
20 我们
Latencies WL = 0 01
21 SDRAM DIMM 单元 Attributes 非 缓冲/非 reg. 00
22 SDRAM 设备 attributes: 一般 Vcc tol ± 10% 0E
23 MinimumClockCycleTimeatCAS
Latency = 2 10.0 ns A0
24 最大 数据 进入 时间 从 时钟 为 CL = 2 6.0 ns 60
25 最小 时钟 循环 时间 在 CL = 1 不 Supported 00
26 最大 数据 进入 时间 从 时钟 在 CL = 1 不 Supported 00
27 最小 行 Precharge 时间 20 ns 14
28 最小 行 起作用的 至 行 起作用的 延迟 t
RRD
15 ns 0F
29 最小 RAS 至 CAS
延迟 t
RCD
20 ns 14
30 最小 RAS 脉冲波 宽度 t
RAS
45 ns 2D
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