首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:683368
 
资料名称:V53C318165A
 
文件大小: 266.4K
   
说明
 
介绍:
3.3 VOLT 1M X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
 
 


: 点此下载
  浏览型号V53C318165A的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号V53C318165A的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号V53C318165A的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号V53C318165A的Datasheet PDF文件第4页
4

5
浏览型号V53C318165A的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号V53C318165A的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号V53C318165A的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号V53C318165A的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
5
v53c318165a rev. 1.0 january 1998
mosel vitelic
V53C318165A
交流 特性
T
一个
= 0
°
c 至 70
°
c, v
CC
= 3.3 v
±
0.3 v, v
SS
= 0v, t
T
= 2ns 除非 否则 指出
#
电子元件工业联合会
标识 标识 参数
50 60 70
单位 notesmin. 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
1 t
RL1RH1
t
RAS
ras 脉冲波 宽度 50 10K 60 10K 70 10K ns
2 t
RL2RL2
t
RC
读 或者 写 循环 时间 84 104 124 ns
3 t
RH2RL2
t
RP
ras precharge 时间 30 40 50 ns
4 t
RL1CH1
t
CSH
cas 支撑 时间 40 50 60 ns
5 t
CL1CH1
t
CAS
cas 脉冲波 宽度 8 10K 10 10K 12 10K ns
6 t
RL1CL1
t
RCD
ras 至 cas 延迟 12 37 14 45 14 53 ns
7 t
WH2CL2
t
RCS
读 command 建制 时间 0 0 0 ns
8 t
AVRL2
t
ASR
行 地址 建制 时间 0 0 0 ns
9 t
RL1AX
t
RAH
行 地址 支撑 时间 8 10 10 ns
10 t
AVCL2
t
ASC
column 地址 建制 时间 0 0 0 ns
11 t
CL1AX
t
CAH
column 地址 支撑 时间 8 10 12 ns
12 t
cl1rh1(r)
t
RSH
ras 支撑 时间 13 15 17 ns
13 t
CH2RL2
t
CRP
cas 至 ras precharge 时间 5 5 5 ns
14 t
CH2WX
t
RCH
读 command 支撑 时间
关联 至 cas
0 0 0 ns 9
15 t
RH2WX
t
RRH
读 command 支撑 时间
关联 至 ras
0 0 0 ns 9
16 t
CL1
t
COH
输出 支撑 之后 cas 低 5 5 5 ns
17 t
GL1QV
t
OAC
进入 时间 从 oe 13 15 17 ns
18 t
CL1QV
t
CAC
进入 时间 从 cas 13 15 17 ns 7, 12
19 t
RL1QV
t
RAC
进入 时间 从 ras 50 60 70 ns 7, 12
20 t
AVQV
t
CAA
进入 时间 从 column 地址 25 30 35 ns 7, 13
21 t
CL1QX
t
CLZ
cas 至 低-z 输出 0 0 0 ns 7
22 t
CH2QX
t
输出 缓存区 turnoff 延迟 0 13 0 15 0 17 ns
23 t
CL1QZ
t
DZC
数据 至 cas 低 延迟 0 0 0 ns 15
24 t
RL1AV
t
RAD
ras 至 column 地址 延迟 时间 10 25 12 30 12 35 ns
25 t
GL2QZ
t
OEZ
输出 缓存区 turnoff 延迟 从 oe 0 13 0 15 0 17 ns 8
26 t
WL1CH1
t
CWL
写 command 至 cas 含铅的 时间 13 15 17 ns
27 t
WL1CL2
t
WCS
写 command 建制 时间 0 0 0 ns 11
28 t
CL1WH1
t
WCH
写 command 支撑 时间 8 10 10 ns
29 t
WL1WH1
t
WP
写 脉冲波 宽度 8 10 10 ns
30 t
GL1QZ
t
DEO
数据 至 oe 延迟 0 0 0 ns 15
31 t
WL1RH1
t
RWL
写 command 至 ras 含铅的 时间 13 15 17 ns
32 t
DVWL2
t
DS
数据 在 建制 时间 0 0 0 ns 10
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com