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资料编号:690527
 
资料名称:MB84VD23381FJ
 
文件大小: 827.2K
   
说明
 
介绍:
Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & FCRAM
 
 


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MB84VD23381FJ
-80
9
(持续)
*1 : 所有 电压 是 关联 至 v
SS
.
*2 : fcram 直流 特性 是 量过的 之后 下列的 电源-向上 定时.
*3 : i
输出
取决于 在 这 输出 加载 情况.
*4 : 这 i
CC
电流 列表 包含 两个都 这 直流 运行 电流 和 这 频率 依赖 组件.
*5 : i
CC
起作用的 当 embedded algorithm (程序 或者 擦掉) 是 在 progress.
*6 : 自动 睡眠 模式 使能 这 低 电源 模式 当 地址 仍然是 稳固的 为 150 ns.
*7 : 适用 为 仅有的 v
CC
应用.
*8 : embedded algorithm (程序 或者 擦掉) 是 在 progress. (@5 mhz)
*9 : i
SB2
r 取决于 在 v
循环 时间. 请 谈及 至
附录 一个.
参数 标识 测试 情况
Value
单位
最小值 典型值 最大值
输入 低 水平的 V
IL
–0.3 0.5 V
输入 高 水平的 V
IH
Flash 2.0
V
CC
f+0.3
V
FCRAM 2.2 V
CC
r+0.3
电压 为 autoselect 和
sector 保护 (重置
) *
7
V
ID
11.5 12.5 V
电压 为 wp
/acc sector
保护/unprotection 和
程序 acceleration
V
ACC
—8.59.09.5v
fcram 输出 低 水平的 V
OL
V
CC
r = v
CC
r 最小值, i
OL
=1.0 毫安 0.4 V
fcram 输出 高 水平的 V
OH
V
CC
r = v
CC
r 最小值, i
OH
= –0.5 毫安 2.2 V
flash 输出 低 水平的 V
OL
V
CC
f = v
CC
f 最小值, i
OL
= 4.0 毫安 0.45 V
flash 输出 高 水平的 V
OH
V
CC
f = v
CC
f 最小值, i
OH
= –0.1 毫安 V
CC
f–0.4 V
flash 低 v
CC
锁-输出
电压
V
LKO
—2.32.42.5v
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