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资料编号:690527
 
资料名称:MB84VD23381FJ
 
文件大小: 827.2K
   
说明
 
介绍:
Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & FCRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MB84VD23381FJ
-80
8
■■
电的 特性
1. 直流 characteristics*
1,
*
2,
*
3
(持续)
参数 标识 测试 情况
Value
单位
最小值 典型值 最大值
输入 泄漏 电流 I
LI
V
= v
SS
至 v
CC
f, v
CC
r –1.0 +1.0
µ
一个
输出 泄漏 电流 I
LO
V
输出
= v
SS
至 v
CC
f, v
CC
r –1.0 +1.0
µ
一个
重置
输入 泄漏
电流
I
LIT
V
CC
f
= v
CC
f 最大值,
重置
= 12.5 v
35 µA
flash v
CC
起作用的 电流
(读) *
4
I
CC1
fCEf = v
IL
, oe= v
IH
t
循环
= 5 mhz 18 毫安
t
循环
= 1 mhz 4 毫安
flash v
CC
起作用的 电流
(程序/擦掉) *
5
I
CC2
fCEf = v
IL
, oe= v
IH
——35mA
flash v
CC
起作用的 电流
(读-当-程序) *
6
I
CC3
fCEf = v
IL
, oe= v
IH
——53mA
flash v
CC
起作用的 电流
(读-当-擦掉) *
8
I
CC4
fCEf = v
IL
, oe= v
IH
——53mA
flash v
CC
起作用的 电流
(擦掉-suspend-程序)*
8
I
CC5
fCEf = v
IL
, oe= v
IH
——40mA
WP
/acc acceleration
程序 电流
I
ACC
V
CC
f = v
CC
f 最大值,
WP
/acc = v
ACC
最大值
——20mA
fcram v
CC
起作用的 电流 I
CC1
r
V
CC
r = v
CC
r 最大值,
CE1
r = v
IL
,
V
= v
IH
或者 v
IL
,
I
输出
= 0 毫安
t
RC
/ t
WC
= 最小值 15 20
毫安
t
RC
/ t
WC
= 1
µ
s— 2.53.0
flash v
CC
备用物品 电流 I
SB1
f
V
CC
f = v
CC
f 最大值, cef = v
CC
f ± 0.3 v,
重置
= v
CC
f ± 0.3 v,
WP
/acc = v
CC
f ± 0.3 v
—1 5
µ
一个
flash v
CC
备用物品 电流
(重置
)
I
SB2
f
V
CC
f = v
CC
f 最大值, 重置 = v
SS
± 0.3 v,
WP
/acc = v
CC
f ± 0.3 v
—1 5
µ
一个
flash v
CC
Curren
t (自动 睡眠 模式) *
6
I
SB3
f
V
CC
f = v
CC
f 最大值, cef = v
SS
± 0.3 v,
重置
= v
CC
f ± 0.3 v,
WP
/acc = v
CC
f ± 0.3 v,
V
= v
CC
f ± 0.3 v 或者 v
SS
± 0.3 v
—1 5
µ
一个
fcram v
CC
备用物品 电流 I
SB
r
V
CC
r = v
CC
r 最大值, ce1r = ce2r = v
IH
,
V
= v
IH
或者 v
IL
, i
输出
= 0 毫安
—0.5 1mA
fcram v
CC
备用物品 电流 I
SB1
r
V
CC
r = v
CC
r 最大值, ce1r >V
CC
r – 0.2v,
ce2r >
V
CC
r– 0.2v,
V
<0.2 v 或者 v
>V
CC
r – 0.2 v,
I
输出
= 0 毫安
——70
µ
一个
fcram v
CC
备用物品
电流 *
9
I
SB2
r
V
CC
r = v
CC
r 最大值,ce1r >V
CC
r – 0.2v,
ce2r >
V
CC
r– 0.2v,
V
循环 时间 = t
RC
最小值, i
输出
= 0 毫安
—— 5 毫安
fcram v
CC
电源 向下
电流
I
PD
r
V
CC
r = v
CC
r 最大值,
V
> v
CC
<0.2 v,
ce2r <
0.2v, i
输出
= 0 毫安
——10
µ
一个
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