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资料编号:690527
资料名称:
MB84VD23381FJ
文件大小: 827.2K
说明
:
介绍
:
Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & FCRAM
: 点此下载
5
6
7
8
9
10
11
12
13
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MB84VD23381FJ
-80
8
■
■■
■
电的 特性
1.
直流 characteristics*
1,
*
2,
*
3
(持续)
参数
标识
测试 情况
Va
l
u
e
单位
最小值
典型值
最大值
输入 泄漏 电流
I
LI
V
在
= v
SS
至 v
CC
f, v
CC
r
–1.0
—
+1.0
µ
一个
输出 泄漏 电流
I
LO
V
输出
= v
SS
至 v
CC
f, v
CC
r
–1.0
—
+1.0
µ
一个
重置
输入 泄漏
电流
I
LIT
V
CC
f
= v
CC
f 最大值,
重置
= 12.5 v
—
—
35
µA
flash v
CC
起作用的 电流
(读) *
4
I
CC1
fCE
f = v
IL
, oe
= v
IH
t
循环
= 5 mhz
—
—
18
毫安
t
循环
= 1 mhz
—
—
4
毫安
flash v
CC
起作用的 电流
(程序/擦掉) *
5
I
CC2
fCE
f = v
IL
, oe
= v
IH
——35mA
flash v
CC
起作用的 电流
(读-当-程序) *
6
I
CC3
fCE
f = v
IL
, oe
= v
IH
——53mA
flash v
CC
起作用的 电流
(读-当-擦掉) *
8
I
CC4
fCE
f = v
IL
, oe
= v
IH
——53mA
flash v
CC
起作用的 电流
(擦掉-suspend-程序)*
8
I
CC5
fCE
f = v
IL
, oe
= v
IH
——40mA
WP
/acc acceleration
程序 电流
I
ACC
V
CC
f = v
CC
f 最大值,
WP
/acc = v
ACC
最大值
——20mA
fcram v
CC
起作用的 电流
I
CC1
r
V
CC
r = v
CC
r 最大值,
CE1
r = v
IL
, ce2r = v
IH
,
V
在
= v
IH
或者 v
IL
,
I
输出
= 0 毫安
t
RC
/ t
WC
= 最小值
—
15
20
毫安
t
RC
/ t
WC
= 1
µ
s—
2.53.0
flash v
CC
备用物品 电流
I
SB1
f
V
CC
f = v
CC
f 最大值, ce
f = v
CC
f ± 0.3 v,
重置
= v
CC
f ± 0.3 v,
WP
/acc = v
CC
f ± 0.3 v
—1
5
µ
一个
flash v
CC
备用物品 电流
(重置
)
I
SB2
f
V
CC
f = v
CC
f 最大值, 重置 = v
SS
± 0.3 v,
WP
/acc = v
CC
f ± 0.3 v
—1
5
µ
一个
flash v
CC
Curren
t (自动 睡眠 模式) *
6
I
SB3
f
V
CC
f = v
CC
f 最大值, ce
f = v
SS
± 0.3 v,
重置
= v
CC
f ± 0.3 v,
WP
/acc = v
CC
f ± 0.3 v,
V
在
= v
CC
f ± 0.3 v 或者 v
SS
± 0.3 v
—1
5
µ
一个
fcram v
CC
备用物品 电流
I
SB
r
V
CC
r = v
CC
r 最大值, ce1
r = ce2r = v
IH
,
V
在
= v
IH
或者 v
IL
, i
输出
= 0 毫安
—0.5
1mA
fcram v
CC
备用物品 电流
I
SB1
r
V
CC
r = v
CC
r 最大值, ce1
r >
V
CC
r – 0.2v,
ce2r >
V
CC
r– 0.2v,
V
在
<
0.2 v 或者 v
在
>
V
CC
r – 0.2 v,
I
输出
= 0 毫安
——70
µ
一个
fcram v
CC
备用物品
电流 *
9
I
SB2
r
V
CC
r = v
CC
r 最大值,ce1
r >
V
CC
r – 0.2v,
ce2r >
V
CC
r– 0.2v,
V
在
循环 时间 = t
RC
最小值, i
输出
= 0 毫安
——
5 毫安
fcram v
CC
电源 向下
电流
I
PD
r
V
CC
r = v
CC
r 最大值,
V
在
> v
CC
f – 0.2 v 或者 v
在
<
0.2 v,
ce2r <
0.2v, i
输出
= 0 毫安
——10
µ
一个
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