mb84vd23280ea-90/mb84vd23280ee-90
2
(持续)
—flash 记忆
• 同时发生的 读/写 行动 (flex bank)
二 模拟的 banks 是 选择 从 这 结合体 的 四 物理的 banks
host 系统 能 程序 或者 擦掉 在 一个 bank, 然后 读 立即 和 同时发生地 读 从 这 其它
bank 在 读 和 写 行动
读-当-擦掉
读-当-程序
• 最小 100,000 写/擦掉 循环
• sector 擦掉 architecture
十六 4 k words 和 一个 hundred twenty-六 32 k 文字.
任何 结合体 的 sectors 能 是 concurrently erased. 也 支持 全部 碎片 擦掉.
• embedded 擦掉
TM
* algorithms
automatically 前-programs 和 erases 这 碎片 或者 任何 sector
• embedded 程序
TM
* algorithms
automatically 写 和 核实 数据 在 指定 地址
•Data
polling 和 toggle 位 特性 为 发现 的 程序 或者 擦掉 循环 completion
• 准备好-busy 输出 (ry/用
)
硬件 方法 为 发现 的 程序 或者 擦掉 循环 completion
• 自动 睡眠 模式
当 地址 仍然是 稳固的, automatically 转变 themselves 至 低 电源 模式.
•low v
CC
写 inhibit
≤
2.5 v
• hidden 只读存储器 (hi-只读存储器) 区域
256 字节 的 hi-只读存储器, accessible 通过 一个 新 “hi-只读存储器 enable” command sequence
工厂 serialized 和 保护 至 提供 一个 secure 电子的 串行 号码 (esn)
•WP
/acc 输入 管脚
在 v
IL
, 准许 保护 的 2 的 8 kbytes 在 两个都 ends 的 各自 激励 sector, regardless 的 sector 保护/
unprotection 状态.
在 v
IH
, 准许 除去 的 激励 sector 保护
在 v
ACC
, 增加 程序 效能
• 程序 suspend/重新开始
suspends 这 程序 运作 至 准许 一个 读 在 另一 地址
• 擦掉 suspend/重新开始
suspends 这 擦掉 运作 至 准许 一个 读 在 另一 sector 在里面 这 一样 设备
• 请 谈及 至 “mbm29dl640e”
数据 薄板 在 详细地 函数
—SRAM
• 电源 消耗
运行 : 50 毫安 最大值
备用物品 : 25
µ
一个 最大值
• 电源 向下 特性 使用 ce1
s 和 ce2s
• 数据 保持 供应 电压: 1.5 v 至 3.3 v
•CE1
s 和 ce2s 碎片 选择
• 字节 数据 控制: lb
s (dq
7
-dq
0
), ubs (dq
15
-dq
8
)
*: embedded 擦掉
TM
和 embedded 程序
TM
是 商标 的 先进的 微观的 设备, 公司
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