文档:1g5-0147 rev.1 页 8
VIS
vg26(v)(s)18165c
1,048,576 x 16 - 位
cmos 动态 内存
直流 特性 ; 3.3 - volt 版本
(t
一个
= 0 至 70°c
,
V
CC
= + 3.3v
%, v
SS
= 0v)
参数 标识 测试 情况 vg26(v)(s)18165c 单位 注释
-5 -6
最小值 最大值 最小值 最大值
运行 电流 I
CC1
RAScycling
LCAS/UCAScycling
t
RC
= 最小值
- 120 - 110 毫安 1, 2
备用物品
电流
低
电源
s-版本
I
CC2
lvttl 接口
RAS,LCAS/UCAS= v
IH
dout = 高-z
- 0.5 - 0.5 毫安
cmos 接口
RAS, -0.2v
dout = 高-z
- 0.15 - 0.15 毫安
标准
电源
版本
lvttl 接口
RAS,LCAS/UCAS= v
IH
dout = 高-z
- 2 - 2 毫安
cmos 接口
RAS,-0.2v
dout = 高-z
- 0.5 - 0.5 毫安
RAS- 仅有的 refresh 电流 I
CC3
RAScycling
LCAS/UCAS= v
IH
t
RC
= 最小值
- 120 - 110 毫安 1, 2
edo 页 模式 电流 I
CC4
t
PC
= 最小值 - 90 - 80 毫安 1, 3
CAS- 在之前-RASrefresh
电流
I
CC5
t
RC
= 最小值
RAS,LCAS/UCAScycling
- 120 - 110 毫安 1, 2
自- refresh 电流
(s-版本)
I
CC8
- 250 - 250
CAS- 在之前-RAS长
refresh 电流
(s-版本)
I
CC9
备用物品: vcc-
CAS在之前RASrefresh:
2048 循环 / 128ms
RAS,LCAS/UCAS:
VCC-(最大值)
dout = 高-z,
- 300 - 300
10
±
CASV
CC
≥
CASV
CC
≥
t
RASS
100
µ
s
≥ µ
一个
0.2VRAS
≤
0VV
IL
0.2V
≤≤
0.2VV
IH
V
IH
≤≤
t
RAS
300ns
≤
µ
一个
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