文档:1g5-0147 rev.1 页 9
VIS
vg26(v)(s)18165c
1,048,576 x 16 - 位
cmos 动态 内存
直流 特性 ; 3.3 - volt 版本 (内容.)
(t
一个
= 0 至 70°c
,
V
CC
= +3.3v
%, v
SS
= 0v)
注释:
1. i
CC
是 指定 作 一个 平均 电流. 它 取决于 在 输出 加载 情况 和 循环 比率 当 这
设备 是 选择. i
CC
最大值 是 指定 在 这 输出 打开 情况.
2. 地址 能 是 changed once 或者 较少 当RAS= v
IL
.
3. 为 i
CC4
, 地址 能 是 changed once 或者 较少 在里面 一个 edo 页 模式 循环 时间.
参数 标识 测试 情况
vg26(v)(s)18165c 单位 注释
-5 -6
最小值 最大值 最小值 最大值
输入 泄漏 电流 I
LI
+ 0.3v
-5 5 -5 5
输出 泄漏 电流 I
LO
+ 0.3v
dout = 使不能运转
-5 5 -5 5
输出 高 电压 V
OH
I
OH
= -2ma 2.4 - 2.4 - V
输出 低 电压 V
OL
I
OL
= +2ma - 0.4 - 0.4 V
10
±
0VVinV
CC
≤≤ µ
一个
0VVoutV
CC
≤≤ µ
一个
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