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2 - 3
标识 测试 情况 典型的 值
I
R
, i
D
V
R
= v
RRM
; v
D
= v
DRM
T
VJ
= t
VJM
5mA
T
VJ
= 25
C
0.3 毫安
V
T
, v
F
I
T
, i
F
= 45 一个; t
VJ
= 25
C
1.45 V
V
T0
为 电源-丧失 calculations 仅有的 (t
VJ
= 125
c) 0.85 V
r
T
13 m
V
GT
V
D
= 6 v; T
VJ
= 25
C
1.0 V
T
VJ
= -40
C
1.2 V
I
GT
V
D
= 6 v; T
VJ
= 25
C
65 毫安
T
VJ
= -40
C
80 毫安
T
VJ
= 125
C
50 毫安
V
GD
T
VJ
= t
VJM
;v
D
= 2/3 v
DRM
0.2 V
I
GD
T
VJ
= t
VJM
;v
D
= 2/3 v
DRM
5mA
I
L
I
G
= 0.3 一个; t
G
= 30
s; T
VJ
= 25
C
150 毫安
di
G
/dt = 0.3 一个/
s; T
VJ
= -40
C
200 毫安
T
VJ
= 125
C
100 毫安
I
H
T
VJ
= 25
c; v
D
= 6 v; r
GK
=
100 毫安
t
gd
T
VJ
= 25
c; v
D
= 1/2 v
DRM
2
s
I
G
= 0.3 一个; di
G
/dt = 0.3 一个/
s
t
q
T
VJ
= 125
c, i
T
= 15 一个, t
P
= 300
s, v
R
= 100 v 典型值 150
s
Q
r
di/dt = -10 一个/
s, dv/dt = 20 v/
s, v
D
= 2/3 v
DRM
75
C
R
thJC
每 thyristor (二极管); 直流 电流 1.15 k/w
每 单元 0.29 k/w
R
thJK
每 thyristor (二极管); 直流 电流 1.55 k/w
每 单元 0.39 k/w
d
S
creeping 距离 在 表面 12.6 mm
d
一个
creepage 距离 在 空气 6.3 mm
一个
最大值 容许的 acceleration 50 m/s
2
vhf 36
图. 1 门 触发 范围
图. 2 门 控制 延迟 时间 t
gd
1 10 100 1000
0.1
1
10
I
G
V
G
毫安
1: i
GT
, t
VJ
= 125
°
C
2: i
GT
, t
VJ
= 25
°
C
3: i
GT
, t
VJ
= -40
°
C
V
4: p
GAV
= 0.5 w
5: p
GM
= 1 w
6: p
GM
= 10 w
I
GD
, t
VJ
= 125
°
C
4
2
1
5
6
10 100 1000
1
10
100
1000
µ
s
t
gd
T
VJ
= 25
°
C
典型值
限制
毫安
I
G
3
750
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