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50C02SP
非.7518-2/4
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比率
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
输出 电容 Cob V
CB
=10v, f=1mhz 2.8 pF
集电级-至-发射级 饱和 电压 V
CE
(sat) I
C
=100ma, i
B
=10mA 50 100 mV
根基-至-发射级 饱和 电压 V
是
(sat) I
C
=100ma, i
B
=10mA 0.9 1.2 V
集电级-至-根基 损坏 电压 V
(br)cbo
I
C
=10
µ
一个, i
E
=0 60 V
集电级-至-发射级 损坏 电压 V
(br)ceo
I
C
=1ma, r
是
=
∞
50 V
发射级-至-根基 损坏 电压 V
(br)ebo
I
E
=10
µ
一个, i
C
=
0
5V
转变-在 时间 t
在
看 指定 测试 电路. 30 ns
存储 时间 t
stg
看 指定 测试 电路. 340 ns
下降 时间 t
f
看 指定 测试 电路. 55 ns
切换 时间 测试 电路
V
R
R
B
V
CC
=25VV
是
= --5v
++
50
Ω
输入
输出
R
L
220
µ
F 470
µ
F
PW=20
µ
s
I
B1
d.c.
≤
1%
I
B2
I
C
=20I
B1
= --20i
B2
=200mA
h
FE
--  i
C
IT05108
I
C
--V
CE
IT05106
I
C
--V
是
IT05107
集电级-至-发射级 电压, v
CE
--  mv
集电级 电流, i
C
--  毫安
根基-至-发射级 电压, v
是
--  v
集电级 电流, i
C
--  毫安
集电级 电流, i
C
--  毫安
直流 电流 增益, h
FE
1.0 10 100 1000
3257 3257 3257
1000
100
10
2
3
5
7
2
3
5
7
0
0
350
400
300
200
250
500
450
200
150
100
50
0
200
300
600
500
400
100
500 1000
800
900100 300 400 600 700
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.21.0
Ta=75
°
C
--25
°
C
25
°
C
V
CE
=2V
V
CE
=2V
I
B
=0
200
µ
一个
600
µ
一个
1mA
2mA
3mA
5mA
7mA
8mA
30mA
20mA
15mA
10mA
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
IT05411
1.0
23 5
10 100
72357
1000
23 57
2
5
7
5
7
3
2
100
3
10
--25
°
C
25
°
C
Ta=75
°
C
I
C
/ i
B
=10
V
CE
(sat)  --  i
C
集电级 电流, i
C
--  毫安
集电级-至-发射级
饱和 电压, v
CE
(sat)  --  mv

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50C02SP 非.7518-2/4 持续从 preceding 页. 比率参数标识情况最小值典型值最大值单位输出电容 Cob V CB =10v, f=1mhz 2.8 pF 集电级-至-发射级饱和电压 V CE (sat) I C =100ma, i B =10mA 50 100 mV 根基-至-发射级饱和电压 V 是 (sat) I C =100ma, i B =10mA 0.9 1.2 V 集电级-至-根基损坏电压 V (br)cbo I C =10 µ 一个, i E =0 60 V 集电级-至-发射级损坏电压 V (br)ceo I C =1ma, r 是 = ∞ 50 V 发射级-至-根基损坏电压 V (br)ebo I E =10 µ 一个, i C = 0 5V 转变-在时间 t 在看指定测试电路. 30 ns 存储时间 t stg 看指定测试电路. 340 ns 下降时间 t f 看指定测试电路. 55 ns 切换时间测试电路 V R R B V CC =25VV 是 = --5v ++ 50 Ω 输入输出 R L 220 µ F 470 µ F PW=20 µ s I B1 d.c. ≤ 1% I B2 I C =20I B1 = --20i B2 =200mA h FE -- i C IT05108 I C --V CE IT05106 I C --V 是 IT05107 集电级-至-发射级电压, v CE -- mv 集电级电流, i C -- 毫安根基-至-发射级电压, v 是 -- v 集电级电流, i C -- 毫安集电级电流, i C -- 毫安直流电流增益, h FE 1.0 10 100 1000 3257 3257 3257 1000 100 10 2 3 5 7 2 3 5 7 0 0 350 400 300 200 250 500 450 200 150 100 50 0 200 300 600 500 400 100 500 1000 800 900100 300 400 600 700 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.21.0 Ta=75 ° C --25 ° C 25 ° C V CE =2V V CE =2V I B =0 200 µ 一个 600 µ 一个 1mA 2mA 3mA 5mA 7mA 8mA 30mA 20mA 15mA 10mA Ta=75 ° C 25 ° C --25 ° C IT05411 1.0 23 5 10 100 72357 1000 23 57 2 5 7 5 7 3 2 100 3 10 --25 ° C 25 ° C Ta=75 ° C I C / i B =10 V CE (sat) -- i C 集电级电流, i C -- 毫安集电级-至-发射级饱和电压, v CE (sat) -- mv

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